Takahashi Wide Bandgap Semiconductors 9783540472346

Варианты приобретения

Цена: 26122.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ. Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину

в Мои желания

Автор: Takahashi
Название: Wide Bandgap Semiconductors
Перевод названия: Широкие полупроводники энергетической зоны
ISBN: 9783540472346
Издательство: Springer
Классификация:

Электроника

Полупроводники и сверхпроводники

Прикладная оптика

ISBN-10: 3540472347
Обложка/Формат: Hardback
Страницы: 460
Вес: 0.89 кг.
Дата издания: 13/02/2007
Серия: Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
Язык: English
Издание: 2007 ed.
Иллюстрации: 36 tables, black and white; xxv, 460 p.
Размер: 23.62 x 16.00 x 2.29
Читательская аудитория: Professional & Vocational
Подзаголовок: Fundamental properties and modern photonic and electronic devices
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: This book offers a comprehensive overview of the development, current state and future prospects of wide bandgap semiconductor materials and related optoelectronics devices. It includes an overview of recent developments in III-V nitride semiconductors, SiC, diamond, ZnO, II-VI materials and related devices including AIGaN/GaN FET, UV LDs, white light LEDs, and cold electron emitters. With 901 references, 333 figures and 21 tables, this book will serve as a one-stop source of knowledge on wide bandgap semiconductors and related optoelectronics devices.

After a review of the basic physics of WBGS and the rele ance of the physical properties to the development of commercial devices, the book addresses the applications of WBGS devices for solid-state white-light illumination, medicine and gigahertz-high power telecommunications. In addition, description of recent development in the growth and applications of nitride semiconductors are complemented by chapters on the properties and device applications of SiC, diamond thin films, doping of ZnO, II-IVs and the novel BeZnSeTe/BAlGaAs material systems. Practical issues and problems such as the effect of defects on device performance are highlighted and solutions proposed based on recent studies.
Дополнительное описание: Main Subject: Chemistry and Materials Science
Bibliography: XXVI, 460 p. 394 illus., 15 in color.
Subtitle: Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
Subject1: C32020 Optical and Electronic Materials
Subject2: P2501

Wide Bandgap Semiconductors, Takahashi