Advanced Simulation Methods For Gallium Nitride Electronic Devices: An accurate analysis of state-of-the-art high-frequency and high-power Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors 9783639319293

Варианты приобретения

Цена: 4575.00р.
Кол-во:
о цене
Наличие: Отсутствует.
Возможна поставка под заказ. Дата поступления на склад уточняется после оформления заказа

Добавить в корзину

в Мои желания

Автор: Fabio Alessio Marino
Название: Advanced Simulation Methods For Gallium Nitride Electronic Devices: An accurate analysis of state-of-the-art high-frequency and high-power Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors
ISBN: 9783639319293
Издательство: LAP LAMBERT Academic Publishing
Классификация:

Электроника

ISBN-10: 363931929X
Обложка/Формат: Paperback
Страницы: 120
Вес: 0.19 кг.
Дата издания: 24.12.2010
Язык: English
Иллюстрации: Black & white illustrations
Размер: 229 x 152 x 7
Читательская аудитория: General (us: trade)
Рейтинг:

Advanced Simulation Methods For Gallium Nitride Electronic Devices: An accurate analysis of state-of-the-art high-frequency and high-power Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors, Fabio Alessio Marino