Koichiro Ishibashi; Kenichi Osada Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design 9783642270185

Варианты приобретения

Цена: 15672.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ. Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину

в Мои желания

Автор: Koichiro Ishibashi; Kenichi Osada
Название: Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design
ISBN: 9783642270185
Издательство: Springer
Классификация:

Электроника

Электронные устройства и материалы

ISBN-10: 3642270182
Обложка/Формат: Paperback
Страницы: 310
Вес: 0.25 кг.
Дата издания: 2011
Серия: Springer Series in Advanced Microelectronics
Язык: English
Иллюстрации: Biography
Размер: 234 x 156 x 8
Читательская аудитория: Professional & vocational
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: The recent development of advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. This book addresses issues in the design of SRAM memory cells for advanced CMOS technology, including variability, leakage and reliability.

Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design, Koichiro Ishibashi; Kenichi Osada