An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors 9781286861646

Варианты приобретения

Цена: 10658.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ. Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть
При оформлении заказа до: 2025-07-23
Ориентировочная дата поставки: конец Сентября - начало Октября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину

в Мои желания

Автор: Sattler James M.
Название: An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors
ISBN: 9781286861646
Издательство: Biblioscholar
Классификация:

Образование

ISBN-10: 1286861640
Обложка/Формат: Paperback
Страницы: 146
Вес: 0.27 кг.
Дата издания: 01.10.2012
Язык: English
Размер: 246 x 189 x 8
Читательская аудитория: General (us: trade)
Рейтинг:
Поставляется из: США

An Analysis of the Effects of Low Energy Electron Radiation on A1xga1-Xn/Gan Modulation-Doped Field-Effect Transistors, Sattler James M.