Ouyang Emerging Resistive Switching Memories 9783319315706

Варианты приобретения

Цена: 7836.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ. Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину

в Мои желания

Автор: Ouyang
Название: Emerging Resistive Switching Memories
ISBN: 9783319315706
Издательство: Springer
Классификация:

Накопители и периферийные устройства

ISBN-10: 3319315706
Обложка/Формат: Paperback
Страницы: 93
Вес: 0.17 кг.
Дата издания: 2016
Серия: SpringerBriefs in Materials
Язык: English
Иллюстрации: 32 black & white illustrations, 41 colour illustrations, 10 colour tables, biography
Размер: 234 x 156 x 6
Читательская аудитория: Professional & vocational
Основная тема: Materials Science / Chemistry
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.
Дополнительное описание: Introduction to history of memory devices and the present memory devices.- Introduction of resistive switches memory devices with nanoparticles.- Structure, fabrication and operation of devices with a triple-layer structure sandwiched between two electrod

Emerging Resistive Switching Memories, Ouyang