Cheung, Kin P. Plasma charging damage 9781447110620

Варианты приобретения

Цена: 20962.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ. Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину

в Мои желания

Автор: Cheung, Kin P.
Название: Plasma charging damage
ISBN: 9781447110620
Издательство: Springer
Классификация:

Промышленная химия

Материаловедение

Организация производственных процессов

Электроника

Электронные устройства и материалы

ISBN-10: 1447110625
Обложка/Формат: Paperback
Страницы: 346
Вес: 0.52 кг.
Дата издания: 30.08.2012
Язык: English
Издание: Softcover reprint of
Иллюстрации: Xii, 346 p.
Размер: 234 x 157 x 19
Читательская аудитория: Professional & vocational
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: In the 50 years since the invention of transistor, silicon integrated circuit (IC) technology has made astonishing advances. In state of the art silicon Ie manufacturing process, plasma is used in more than 20 different critical steps.

Plasma charging damage, Cheung, Kin P.