J. Friedel; M. Lannoo Point Defects in Semiconductors I 9783642815768

Варианты приобретения

Цена: 14365.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ. Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину

в Мои желания

Автор: J. Friedel; M. Lannoo
Название: Point Defects in Semiconductors I
ISBN: 9783642815768
Издательство: Springer
Классификация:

Физика конденсированных сред (физика веществ в жидком и твёрдом состоянии)

ISBN-10: 3642815766
Обложка/Формат: Soft cover
Страницы: 265
Вес: 0.45 кг.
Дата издания: 10.01.2012
Серия: Springer Series in Solid-State Sciences
Язык: English
Издание: Softcover reprint of
Иллюстрации: Xvii, 265 p.
Размер: 234 x 156 x 16
Читательская аудитория: Professional & vocational
Основная тема: Crystallography and Scattering Methods
Подзаголовок: Theoretical Aspects
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: From its early beginning before the war, the field of semiconductors has developped as a classical example where the standard approximations of `band theory` can be safely used to study its interesting electronic properties.

Point Defects in Semiconductors I, J. Friedel; M. Lannoo