Контакты/Проезд  Доставка и Оплата Помощь/Возврат
История
  +7(495) 980-12-10
  пн-пт: 10-18 сб,вс: 11-18
  shop@logobook.ru
   
    Поиск книг                    Поиск по списку ISBN Расширенный поиск    
Найти
  Зарубежные издательства Российские издательства  
Авторы | Каталог книг | Издательства | Новинки | Учебная литература | Акции | Хиты | |
 

Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors, Amit Chaudhry


Варианты приобретения
Цена: 19591.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ.  Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть  
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину
в Мои желания

Автор: Amit Chaudhry
Название:  Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors
ISBN: 9781461468219
Издательство: Springer
Классификация:

ISBN-10: 1461468213
Обложка/Формат: Hardcover
Страницы: 201
Вес: 0.49 кг.
Дата издания: 23.04.2013
Язык: English
Издание: 2013 ed.
Иллюстрации: 19 black & white illustrations, 102 colour illustrations, 6 black & white tables, biography
Размер: 234 x 158 x 18
Читательская аудитория: Professional & vocational
Основная тема: Electronics and Microelectronics, Instrumentation
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: This book covers principles and theory of nanoscale transistors, including quantum mechanical tunneling and inversion layer quantization and solutions like high-k and strained-Si technology, alternate structures and graphene technology. Includes case studies.


Crystallization of Nanoscaled Colloids

Автор: Philip G. Born
Название: Crystallization of Nanoscaled Colloids
ISBN: 3319002295 ISBN-13(EAN): 9783319002293
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 19564.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Exploring processes that create ordered assemblies from disordered nanoparticles, this work examines the self-assembly of particles, a process widely employed, but not yet well understood. Offers new models describing the competition of different influences.

Nanowire Field Effect Transistors: Principles and Applications

Автор: Dae Mann Kim; Yoon-Ha Jeong
Название: Nanowire Field Effect Transistors: Principles and Applications
ISBN: 1461481236 ISBN-13(EAN): 9781461481232
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16979.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book covers the basic physics and electronics leading to the conceptual understanding of nanowire field effect transistors (NWFET) and its practical aspects. It discusses mainstream applications and emphasizes their basic concepts.

Silicon Nanowire Transistors

Автор: Ahmet Bindal; Sotoudeh Hamedi-Hagh
Название: Silicon Nanowire Transistors
ISBN: 331927175X ISBN-13(EAN): 9783319271750
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 11179.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: These include an SRAM, a baseband spread spectrum transmitter, a neuron cell and a Field Programmable Gate Array (FPGA) platform in the digital domain, as well as high bandwidth single-stage and operational amplifiers, RF communication circuits in the analog domain, in order to show this technology`s true potential for the next generation VLSI.

Lateral Power Transistors in Integrated Circuits

Автор: Tobias Erlbacher
Название: Lateral Power Transistors in Integrated Circuits
ISBN: 3319004999 ISBN-13(EAN): 9783319004990
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 19564.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book details and compares recent advancements in the development of novel lateral power transistors (LDMOS devices) for integrated circuits in power electronic applications. It includes the state-of-the-art concept of double-acting RESURF topologies.


ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru
   В Контакте     В Контакте Мед  Мобильная версия