Контакты/Проезд  Доставка и Оплата Помощь/Возврат
История
  +7(495) 980-12-10
  пн-пт: 10-18 сб,вс: 11-18
  shop@logobook.ru
   
    Поиск книг                    Поиск по списку ISBN Расширенный поиск    
Найти
  Зарубежные издательства Российские издательства  
Авторы | Каталог книг | Издательства | Новинки | Учебная литература | Акции | Хиты | |
 

Particle Penetration and Radiation Effects Volume 2, Peter Sigmund


Варианты приобретения
Цена: 26122.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ.  Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть  
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину
в Мои желания

Автор: Peter Sigmund
Название:  Particle Penetration and Radiation Effects Volume 2
ISBN: 9783319055633
Издательство: Springer
Классификация:



ISBN-10: 3319055631
Обложка/Формат: Hardcover
Страницы: 603
Вес: 1.06 кг.
Дата издания: 12.06.2014
Серия: Springer Series in Solid-State Sciences
Язык: English
Иллюстрации: 97 illustrations, color; 189 illustrations, black and white; xxix, 603 p. 286 illus., 97 illus. in color.
Размер: 242 x 158 x 39
Читательская аудитория: Professional & vocational
Основная тема: Particle Acceleration and Detection, Beam Physics
Подзаголовок: Penetration of Atomic and Molecular Ions
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: This book represents volume 2 of a 3-volume monograph on Particle Penetration and Radiation Effects.


Effects of Radiation on Semiconductors

Автор: Viktor S. Vavilov
Название: Effects of Radiation on Semiconductors
ISBN: 1489927220 ISBN-13(EAN): 9781489927224
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13060.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The effects of electromagnetic radiation and high-energy par- ticles on semiconductors can be divided into two main processes: (a) the excitation of electrons (the special case is internal ioniza- tion, i. e., the generation of excess charge carriers); and(b) dis- turbance of the periodic structure of the crystal, i. e., the forma- tion of structural radiation defects. Naturally, investigations of the effects of radiation on semiconductors cannot be considered in isolation. Thus, for example, the problern of radiation de- fects is part of the generalproblern of crystal lattice defects and the influence of such defects on the processes occurring in semi- conductors. The same is true of photoelectric and similar phe- nomena where the action of the radiation is only the start of a complex chain of nonequilibrium electronprocesses. Nevertheless, particularly from the point of view of the experimental physicist, the radiation effects discussed in the present book have inter- esting features: several types of radiation may produce the same resul t (for example, ionization by photons and by charged particles) or one type of radiation may produce several effects (ionization and radiation -defect formation). The aim of the author was to consider the most typical prob- lems. The subjects discussed differ widely from one another in the extent to which they have been investigated.


ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru
   В Контакте     В Контакте Мед  Мобильная версия