Heterostructure Epitaxy and Devices, Josef Nov?k; A. Schlachetzki

Автор: Peter Kordos; Josef Nov?k
Название: Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD`97
ISBN: 0792350138 ISBN-13(EAN): 9780792350132
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15372.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Discusses various questions related to the use of materials, such as compound semiconductors based on high band-gap nitrides and low band-gap antimonides, procedures, such as low-temperature epitaxial growth, and principles, such as nanostructures, quantum wires and dots.

Автор: Peter Kordos; Josef Nov?k
Название: Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD`97
ISBN: 079235012X ISBN-13(EAN): 9780792350125
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 30606.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Discusses various questions related to the use of materials, such as compound semiconductors based on high band-gap nitrides and low band-gap antimonides, procedures, such as low-temperature epitaxial growth, and principles, such as nanostructures, quantum wires and dots.

Автор: L.L. Chang; K. Ploog
Название: Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures
ISBN: 940108744X ISBN-13(EAN): 9789401087445
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 12157.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Molecular Beam Epitaxy (MBE) and Heterostructures, Erice, Italy, March 7-19, 1983

Название: Iii-V Heterostructure Devices On Si
ISBN: 981466930X ISBN-13(EAN): 9789814669306
Издательство: Taylor&Francis
Рейтинг:
Цена: 16843.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание:

GaAs processing has reached a mature stage. New semiconductor compounds are emerging that will dominate future materials and device research, although the processing techniques used for GaAs will still remain relevant. This book covers all aspects of the current state of the art of III-V processing, with emphasis on HBTs. It is aimed at practicing engineers and graduate students and engineers new to the field of III-V semiconductor IC processing. The book's primary purpose is to discuss all aspects of processing of active and passive devices, from crystal growth to backside processing, including lithography, etching, and film deposition.

Автор: Vassil Palankovski; R?diger Quay
Название: Analysis and Simulation of Heterostructure Devices
ISBN: 3709171938 ISBN-13(EAN): 9783709171936
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 22359.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices.

Автор: Wilfried G. J. H. M. van Sark; Lars Korte; Frances
Название: Physics and Technology of Amorphous-Crystalline Heterostructure Silicon Solar Cells
ISBN: 3642270077 ISBN-13(EAN): 9783642270079
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 28732.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Written for all experts in this field, this book presents an overview of the state-of-the-art in physics and technology of amorphous-crystalline heterostructure silicon solar cells.