Lateral Power Transistors in Integrated Circuits, Tobias Erlbacher

Автор: Tobias Erlbacher
Название: Lateral Power Transistors in Integrated Circuits
ISBN: 3319004999 ISBN-13(EAN): 9783319004990
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 19564.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book details and compares recent advancements in the development of novel lateral power transistors (LDMOS devices) for integrated circuits in power electronic applications. It includes the state-of-the-art concept of double-acting RESURF topologies.

Автор: S.D. Brotherton
Название: Introduction to Thin Film Transistors: Physics and Technology of TFTs
ISBN: 3319000012 ISBN-13(EAN): 9783319000015
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 10480.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book surveys the technology and applications of TFTs, covering hydrogenated amorphous silicon, poly-crystalline silicon, transparent amorphous oxide semiconductors, organic semiconductors and others that form the core of the flat panel display industry.

Автор: Seongil Im, Youn-Gyoung Chang, Jae Hoon Kim
Название: Photo-Excited Charge Collection Spectroscopy: Probing the traps in field-effect transistors (SpringerBriefs in Physics)
ISBN: 9400763913 ISBN-13(EAN): 9789400763913
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 6529.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Solid state field-effect devices such as organic and inorganic-channel thin-film transistors (TFTs) have been expected to promote advances in display and sensor electronics.

Автор: Ioannis Kymissis
Название: Organic Field Effect Transistors
ISBN: 1441947116 ISBN-13(EAN): 9781441947116
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15672.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: As a basic introduction to the subject for practitioners, this text will also be of interest to researchers looking for references that are not part of their subject area, focusing on materials and techniques useful for making integrated circuits.

Автор: Tarek Zaki
Название: Short-Channel Organic Thin-Film Transistors
ISBN: 331918895X ISBN-13(EAN): 9783319188959
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15672.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This work takes advantage of high-resolution silicon stencil masks to build air-stable complementary OTFTs using a low-temperature fabrication process. the masks exhibit excellent stiffness and stability, thus allowing OTFTs with submicrometer channel lengths and superb device uniformity to be patterned.

Автор: Geert Hellings; Kristin De Meyer
Название: High Mobility and Quantum Well Transistors
ISBN: 9400795696 ISBN-13(EAN): 9789400795693
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15672.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book explores the use of high mobility semiconductors such as germanium and III-V materials, the need to redesign transistors to work with such materials and the appropriateness of Quantum Well-based transistors for this new stage of transistor evolution.

Автор: Valizadeh Pouya
Название: Field Effect Transistors, a Comprehensive Overview
ISBN: 1119155495 ISBN-13(EAN): 9781119155492
Издательство: Wiley
Рейтинг:
Цена: 18208.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book discusses modern-day Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) and future trends of transistor devices. This book provides an overview of Field Effect Transistors (FETs) by discussing the basic principles of FETs and exploring the latest technological developments in the field.

Автор: Platt Charles
Название: Encyclopedia of Electronic Components Volume 2: Diodes, Transistors, Chips, Light, Heat, and Sound Emitters
ISBN: 1449334180 ISBN-13(EAN): 9781449334185
Издательство: Wiley
Рейтинг:
Цена: 3800.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Want to know how to use an electronic component? This second book of a three-volume set includes key information on electronics parts for your projects - complete with photographs, schematics, and diagrams. You`ll learn what each one does, how it works, why it`s useful, and what variants exist.

Автор: Michael Eckert; Helmut Schubert
Название: Crystals, Electrons, Transistors
ISBN: 0883186225 ISBN-13(EAN): 9780883186220
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 14365.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Автор: Tarek Zaki
Название: Short-Channel Organic Thin-Film Transistors
ISBN: 3319369806 ISBN-13(EAN): 9783319369808
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13059.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This work takes advantage of high-resolution silicon stencil masks to build air-stable complementary OTFTs using a low-temperature fabrication process. the masks exhibit excellent stiffness and stability, thus allowing OTFTs with submicrometer channel lengths and superb device uniformity to be patterned.

Автор: Dae Mann Kim; Yoon-Ha Jeong
Название: Nanowire Field Effect Transistors: Principles and Applications
ISBN: 1461481236 ISBN-13(EAN): 9781461481232
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16979.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book covers the basic physics and electronics leading to the conceptual understanding of nanowire field effect transistors (NWFET) and its practical aspects. It discusses mainstream applications and emphasizes their basic concepts.

Автор: Jeroen A. Croon; Willy M Sansen; Herman E. Maes
Название: Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors
ISBN: 1441937188 ISBN-13(EAN): 9781441937186
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 19589.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The model is illustrated by dimensioning the unit current cell of a current-steering D/A converter.The most commonly used methods to extract the matching properties of a technology are bench-marked with respect to model accuracy, measurement accuracy and speed, and physical contents of the extracted parameters.