Контакты/Проезд  Доставка и Оплата Помощь/Возврат
История
  +7(495) 980-12-10
  пн-пт: 10-18 сб,вс: 11-18
  shop@logobook.ru
   
    Поиск книг                    Поиск по списку ISBN Расширенный поиск    
Найти
  Зарубежные издательства Российские издательства  
Авторы | Каталог книг | Издательства | Новинки | Учебная литература | Акции | Хиты | |
 

GaAs Devices and Circuits, Michael S. Shur


Варианты приобретения
Цена: 36570.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ.  Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть  
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину
в Мои желания

Автор: Michael S. Shur
Название:  GaAs Devices and Circuits
ISBN: 9780306421921
Издательство: Springer
Классификация:

ISBN-10: 0306421925
Обложка/Формат: Hardcover
Страницы: 670
Вес: 1.40 кг.
Дата издания: 31.08.1987
Серия: Microdevices
Язык: English
Размер: 254 x 178 x 37
Основная тема: Engineering
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: Ioffe Institute of Physics and Technology, Professor Melvin Shaw of Wayne State University, Dr. Kastalsky of Bell Communi- cations, Professor Gary Robinson of Colorado State University, Professor Tony Valois, and Dr. Tim Drummond of Sandia Labs-for their contributions to our joint research and for valuable discussions.


Package Electrical Modeling, Thermal Modeling, and Processing for GaAs Wireless Applications

Автор: Dean L. Monthei
Название: Package Electrical Modeling, Thermal Modeling, and Processing for GaAs Wireless Applications
ISBN: 0792383648 ISBN-13(EAN): 9780792383642
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 23757.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Packaging engineers now have to work with die level designers to either create a package that performs well at high frequencies or to use readily available low cost packages that happen to meet the needs of the application.

GaAs Devices and Circuits

Автор: Michael S. Shur
Название: GaAs Devices and Circuits
ISBN: 1489919910 ISBN-13(EAN): 9781489919915
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 27950.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Ioffe Institute of Physics and Technology, Professor Melvin Shaw of Wayne State University, Dr. Kastalsky of Bell Communi- cations, Professor Gary Robinson of Colorado State University, Professor Tony Valois, and Dr. Tim Drummond of Sandia Labs-for their contributions to our joint research and for valuable discussions.

Design and Realization of Novel GaAs Based Laser Concepts

Автор: Tim David Germann
Название: Design and Realization of Novel GaAs Based Laser Concepts
ISBN: 3662511150 ISBN-13(EAN): 9783662511152
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13059.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Addressing every stage of the laser fabrication process, this thesis demonstrates how key performance characteristics of three discrete types of semiconductor lasers can be customized using clever nanostructure design and epitaxial growth techniques.

Package Electrical Modeling, Thermal Modeling, and Processing for GaAs Wireless Applications

Автор: Dean L. Monthei
Название: Package Electrical Modeling, Thermal Modeling, and Processing for GaAs Wireless Applications
ISBN: 1461373255 ISBN-13(EAN): 9781461373254
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 23757.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Packaging engineers now have to work with die level designers to either create a package that performs well at high frequencies or to use readily available low cost packages that happen to meet the needs of the application.

Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells

Автор: Jason Leonard
Название: Exciton Transport Phenomena in GaAs Coupled Quantum Wells
ISBN: 3319697323 ISBN-13(EAN): 9783319697321
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15372.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The many firsts presented herein include the first studies of an excitonic conveyer, leading to the discovery of the dynamical localization-delocalization transition for excitons, and the first excitonic ramp and excitonic diode with no energy-dissipating voltage gradient.


ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru
   В Контакте     В Контакте Мед  Мобильная версия