Physics of High-Speed Transistors, Juras Pozela

Автор: Seongil Im, Youn-Gyoung Chang, Jae Hoon Kim
Название: Photo-Excited Charge Collection Spectroscopy: Probing the traps in field-effect transistors (SpringerBriefs in Physics)
ISBN: 9400763913 ISBN-13(EAN): 9789400763913
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 6529.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Solid state field-effect devices such as organic and inorganic-channel thin-film transistors (TFTs) have been expected to promote advances in display and sensor electronics.

Автор: Valizadeh Pouya
Название: Field Effect Transistors, a Comprehensive Overview
ISBN: 1119155495 ISBN-13(EAN): 9781119155492
Издательство: Wiley
Рейтинг:
Цена: 18208.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book discusses modern-day Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) and future trends of transistor devices. This book provides an overview of Field Effect Transistors (FETs) by discussing the basic principles of FETs and exploring the latest technological developments in the field.

Автор: Platt Charles
Название: Encyclopedia of Electronic Components Volume 2: Diodes, Transistors, Chips, Light, Heat, and Sound Emitters
ISBN: 1449334180 ISBN-13(EAN): 9781449334185
Издательство: Wiley
Рейтинг:
Цена: 3800.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Want to know how to use an electronic component? This second book of a three-volume set includes key information on electronics parts for your projects - complete with photographs, schematics, and diagrams. You`ll learn what each one does, how it works, why it`s useful, and what variants exist.

Автор: S.D. Brotherton
Название: Introduction to Thin Film Transistors: Physics and Technology of TFTs
ISBN: 3319000012 ISBN-13(EAN): 9783319000015
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 10480.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book surveys the technology and applications of TFTs, covering hydrogenated amorphous silicon, poly-crystalline silicon, transparent amorphous oxide semiconductors, organic semiconductors and others that form the core of the flat panel display industry.

Автор: Juras Pozela
Название: Physics of High-Speed Transistors
ISBN: 0306446197 ISBN-13(EAN): 9780306446191
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 30606.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Examines the physical principles and technological approaches that make high-speed transistors possible. This book includes discussions of maximum drift velocity in semiconductors, hot-electron transistors, and high-speed devices and integrated circuits.

Автор: Michael Reisch
Название: High-Frequency Bipolar Transistors
ISBN: 364263205X ISBN-13(EAN): 9783642632051
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 28734.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This modern book-length treatment gives a detailed presentation of high-frequency bipolar transistors in silicon or silicon-germanium technology, with particular emphasis placed on today`s advanced compact models and their physical foundations.

Автор: Geert Hellings; Kristin De Meyer
Название: High Mobility and Quantum Well Transistors
ISBN: 9400763395 ISBN-13(EAN): 9789400763395
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 18284.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book explores the use of high mobility semiconductors such as germanium and III-V materials, the need to redesign transistors to work with such materials and the appropriateness of Quantum Well-based transistors for this new stage of transistor evolution.

Автор: Geert Hellings; Kristin De Meyer
Название: High Mobility and Quantum Well Transistors
ISBN: 9400795696 ISBN-13(EAN): 9789400795693
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15672.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book explores the use of high mobility semiconductors such as germanium and III-V materials, the need to redesign transistors to work with such materials and the appropriateness of Quantum Well-based transistors for this new stage of transistor evolution.

Автор: Ioannis Kymissis
Название: Organic Field Effect Transistors
ISBN: 1441947116 ISBN-13(EAN): 9781441947116
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15672.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: As a basic introduction to the subject for practitioners, this text will also be of interest to researchers looking for references that are not part of their subject area, focusing on materials and techniques useful for making integrated circuits.

Автор: J.-P. Colinge
Название: FinFETs and Other Multi-Gate Transistors
ISBN: 1441944095 ISBN-13(EAN): 9781441944092
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 20896.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book explains the physics and properties of multi-gate field-effect transistors (MuGFETs), how they are made and how circuit designers can use them to improve the performances of integrated circuits.