Контакты/Проезд
Доставка и Оплата
Помощь/Возврат
Корзина ()
Мои желания ()
История
Промокоды
Ваши заказы
+7(495) 980-12-10
пн-пт: 10-18 сб,вс: 11-18
shop@logobook.ru
Российская литература
Поиск книг
Поиск по списку ISBN
Расширенный поиск
Найти
Зарубежные издательства
Российские издательства
Авторы
|
Каталог книг
|
Издательства
|
Новинки
|
Учебная литература
|
Акции
|
Хиты
|
|
Войти
Регистрация
Забыли?
3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices, Wu Yung-Chun, Jhan Yi-Ruei
Варианты приобретения
Цена:
11878.00р.
Кол-во:
Наличие:
Поставка под заказ.
Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть
При оформлении заказа до:
2025-07-28
Ориентировочная дата поставки:
Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.
Добавить в корзину
в Мои желания
Автор:
Wu Yung-Chun, Jhan Yi-Ruei
Название:
3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices
ISBN:
9789811097799
Издательство:
Springer
Классификация:
Промышленная химия
Другие технологии производства
Производство высокоточных приборов
Организация производственных процессов
Электроника
Полупроводники и сверхпроводники
ISBN-10: 9811097798
Обложка/Формат: Paperback
Страницы: 346
Вес: 0.49 кг.
Дата издания: 19.07.2019
Язык: English
Издание: Softcover reprint of
Иллюстрации: 304 tables, color; 240 illustrations, color; 3 illustrations, black and white; xiii, 330 p. 243 illus., 240 illus. in color.
Размер: 234 x 156 x 18
Читательская аудитория: General (us: trade)
Ссылка на Издательство:
Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: This book demonstrates how to use the Synopsys Sentaurus TCAD 2014 version for the design and simulation of 3D CMOS (complementary metal–oxide–semiconductor) semiconductor nanoelectronic devices, while also providing selected source codes (Technology Computer-Aided Design, TCAD). Instead of the built-in examples of Sentaurus TCAD 2014, the practical cases presented here, based on years of teaching and research experience, are used to interpret and analyze simulation results of the physical and electrical properties of designed 3D CMOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) nanoelectronic devices.The book also addresses in detail the fundamental theory of advanced semiconductor device design for the further simulation and analysis of electric and physical properties of semiconductor devices. The design and simulation technologies for nano-semiconductor devices explored here are more practical in nature and representative of the semiconductor industry, and as such can promote the development of pioneering semiconductor devices, semiconductor device physics, and more practically-oriented approaches to teaching and learning semiconductor engineering. The book can be used for graduate and senior undergraduate students alike, while also offering a reference guide for engineers and experts in the semiconductor industry. Readers are expected to have some preliminary knowledge of the field.
Дополнительное описание: Introduction of Synopsys Sentaurus TCAD 2014 version software environment operation interface and tools.- Simulation analysis of 2D MOSFET.- Simulation analysis of 3D FinFET with LG = 15 nm.- Simulation analysis of Inverter and SRAM of 3D FinFET with LG =
ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru
Есть вопрос?
Политика конфиденциальности
Помощь
Дистрибьюторы издательства "Логосфера"
О компании
Представительство в Казахстане
Medpublishing.ru
В Контакте
В Контакте Мед
Мобильная версия