Автор: Hogsed Michael R.Название: Deep Level Defects in Electron-Irradiated Aluminum Gallium Nitride Grown by Molecular Beam EpitaxyISBN: 1286861233 ISBN-13(EAN): 9781286861233 Издательство: НеизвестноРейтинг: Цена: 10658.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.