Thin Film Transistor, 

Автор: Jarzen Thomas D.
Название: Capacitance-Voltage Study on the Effects of Low Energy Electron Radiation on Al0.27ga0.73n/Gan High Electron Mobility Transistor
ISBN: 1288405898 ISBN-13(EAN): 9781288405893
Издательство: Неизвестно
Рейтинг:
Цена: 10658.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Автор: Kaiser Cletus J.
Название: The Transistor Handbook
ISBN: 0962852570 ISBN-13(EAN): 9780962852572
Издательство: Неизвестно
Цена: 3440.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Автор: Singhal Tarun, Singhal Ishta
Название: Modelling and Analysis of Single Electron Transistor
ISBN: 613891774X ISBN-13(EAN): 9786138917748
Издательство: Неизвестно
Рейтинг:
Цена: 10826.00 р.
Наличие на складе: Нет в наличии.

Название: Nanowire Field-Effect Transistor (FET)
ISBN: 3039362089 ISBN-13(EAN): 9783039362080
Издательство: Неизвестно
Рейтинг:
Цена: 6901.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание:

In the last few years, the leading semiconductor industries have introduced multi-gate non-planar transistors into their core business. These are being applied in memories and in logical integrated circuits to achieve better integration on the chip, increased performance, and reduced energy consumption. Intense research is underway to develop these devices further and to address their limitations, in order to continue transistor scaling while further improving performance. This Special Issue looks at recent developments in the field of nanowire field-effect transistors (NW-FETs), covering different aspects of the technology, physics, and modelling of these nanoscale devices.

Автор: Sridharan K., Srinivasu B., Pudi Vikramkumar
Название: Low-Complexity Arithmetic Circuit Design in Carbon Nanotube Field Effect Transistor Technology
ISBN: 3030506983 ISBN-13(EAN): 9783030506988
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13974.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book introduces readers to the emerging carbon nanotube field-effect transistor (CNTFET) technology, and examines the problem of designing efficient arithmetic circuits in CNTFET technology.

Автор: Tigelaar, Howard
Название: How transistor area shrank by 1 million fold
ISBN: 3030400204 ISBN-13(EAN): 9783030400200
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 6986.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: He describes for readers the key inventions and developments in science and engineering that overcame huge obstacles, enabling engineers to shrink transistor area by over 1 million fold and build billions of transistor switches that switch over a billion times a second, all on a piece of silicon smaller than a thumbnail.

Автор: S.D. Brotherton
Название: Introduction to Thin Film Transistors
ISBN: 3319033107 ISBN-13(EAN): 9783319033105
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13059.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book surveys the technology and applications of TFTs, covering hydrogenated amorphous silicon, poly-crystalline silicon, transparent amorphous oxide semiconductors, organic semiconductors and others that form the core of the flat panel display industry.

Автор: Vinod Kumar Khanna
Название: Flexible Electronics: Thin Film Transistors (Volume 2)
ISBN: 0750324503 ISBN-13(EAN): 9780750324502
Издательство: NBN International
Рейтинг:
Цена: 20909.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание:

This volume focuses on thin-film transistors (TFTs) and their properties, as well as covering field effect transistors (FETs), including electrolyte-gated field-effect transistors such as EGOFETs and OECFETs.