Контакты/Проезд  Доставка и Оплата Помощь/Возврат
История
  +7(495) 980-12-10
  пн-пт: 10-18 сб,вс: 11-18
  shop@logobook.ru
   
    Поиск книг                    Поиск по списку ISBN Расширенный поиск    
Найти
  Зарубежные издательства Российские издательства  
Авторы | Каталог книг | Издательства | Новинки | Учебная литература | Акции | Хиты | |
 

Emerging Trends in Terahertz Solid-State Physics and Devices: Sources, Detectors, Advanced Materials, and Light-Matter Interactions, Biswas Arindam, Banerjee Amit, Acharyya Aritra


Варианты приобретения
Цена: 20962.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ.  Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть  
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину
в Мои желания

Автор: Biswas Arindam, Banerjee Amit, Acharyya Aritra
Название:  Emerging Trends in Terahertz Solid-State Physics and Devices: Sources, Detectors, Advanced Materials, and Light-Matter Interactions
ISBN: 9789811532344
Издательство: Springer
Классификация:





ISBN-10: 9811532346
Обложка/Формат: Hardcover
Страницы: 203
Вес: 0.49 кг.
Дата издания: 21.03.2020
Язык: English
Издание: 1st ed. 2020
Иллюстрации: 108 illustrations, color; 26 illustrations, black and white; xiv, 203 p. 134 illus., 108 illus. in color.
Размер: 23.39 x 15.60 x 1.42 cm
Читательская аудитория: Professional & vocational
Подзаголовок: Sources, detectors, advanced materials, and light-matter interactions
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание:

Chapter 1 - THz Bandpass Filter Design using Metamaterial-based Defected 1D Photonic Crystal Structure (Dr. Angsuman Sarkar)

Chapter 2 - Terahertz Radiators Based on Silicon Carbide Avalanche Transit Time Sources - Part I: Large-Signal Characteristics (Dr. Aritra Acharyya)

Chapter 3 - Terahertz Radiators Based on Silicon Carbide Avalanche Transit Time Sources - Part II: Avalanche Noise Characteristics (Dr. Aritra Acharyya)

Chapter 4 - RF Performance of Ultra Wide Band Gap HEMTs (Dr. T R Lenka)

Chapter 5 - Potentiality of Impact Avalanche Transit Time diode as Terahertz Source based on Group-IV and III-V semiconducting materials (Girish Chandra Ghivela)

Chapter 6 - Analysis of InN based Surrounded gate tunnel field effect transistor for terahertz applications (Dr. Nitai Paitya)

Chapter 7 - Thermoelectric Power in Heavily Doped Nano-Structures In The Presence of Terahertz Radiation (K P Ghatak)

Chapter 8 - Heterostructure Devices for THz Signal Recognition (Dr. Manas Chand)

Chapter 9 - Data transmission with Terahertz Communication Systems (Dr. Sudipta Das)

Chapter 10 - Advances in Terahertz Imaging (Dr. Arijit Saha)

Chapter 11 - Terahertz emission mechanisms in III-V semiconductors: The influence of isoelectronic dopants (Rajeev N. Kini and C. P. Vaisakh)

Chapter 12 - Group III - Nitride and other semiconductor for terahertz detector(Bijit Choudhuri and Aniruddha Mondal).




ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru
   В Контакте     В Контакте Мед  Мобильная версия