Edmund G. Seebauer; Meredith C. Kratzer Charged Semiconductor Defects 9781848820586

Варианты приобретения

Цена: 26122.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ. Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину

в Мои желания

Автор: Edmund G. Seebauer; Meredith C. Kratzer
Название: Charged Semiconductor Defects
ISBN: 9781848820586
Издательство: Springer
Классификация:

Физика конденсированных сред (физика веществ в жидком и твёрдом состоянии)

Материаловедение

Техническая термодинамика

Электроника

Полупроводники и сверхпроводники

ISBN-10: 1848820585
Обложка/Формат: Hardback
Страницы: 308
Вес: 0.63 кг.
Дата издания: 2008
Серия: Engineering Materials and Processes
Язык: English
Издание: 2009 ed.
Иллюстрации: 90 black & white illustrations, 30 black & white t
Размер: 239 x 163 x 25
Читательская аудитория: Professional & vocational
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: Defects in semiconductors have been studied for many years, in many cases with a view toward controlling their behaviour through various forms of `defect engineering`. This book covers the properties of the ionized defects that can affect the behaviour of advanced transistors, photo-active devices, catalysts, and sensors.

Charged Semiconductor Defects, Edmund G. Seebauer; Meredith C. Kratzer