Контакты/Проезд  Доставка и Оплата Помощь/Возврат
История
  +7(495) 980-12-10
  пн-пт: 10-18 сб,вс: 11-18
  shop@logobook.ru
   
    Поиск книг                    Поиск по списку ISBN Расширенный поиск    
Найти
  Зарубежные издательства Российские издательства  
Авторы | Каталог книг | Издательства | Новинки | Учебная литература | Акции | Хиты | |
 

Charged Semiconductor Defects, Edmund G. Seebauer; Meredith C. Kratzer


Варианты приобретения
Цена: 26120.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ.  Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть  
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину
в Мои желания

Автор: Edmund G. Seebauer; Meredith C. Kratzer
Название:  Charged Semiconductor Defects
ISBN: 9781849968201
Издательство: Springer
Классификация:







ISBN-10: 1849968209
Обложка/Формат: Paperback
Страницы: 294
Вес: 0.44 кг.
Дата издания: 2008
Серия: Engineering Materials and Processes
Язык: English
Издание: 1st ed. softcover of
Иллюстрации: 30 black & white tables, biography
Размер: 234 x 156 x 17
Читательская аудитория: Professional & vocational
Подзаголовок: Structure, thermodynamics and diffusion
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: Charged Defects in Semiconductors details the current state of knowledge regarding the properties of the ionized defects that can affect the behaviour of advanced transistors, photo-active devices, catalysts, and sensors.


Charged Semiconductor Defects

Автор: Edmund G. Seebauer; Meredith C. Kratzer
Название: Charged Semiconductor Defects
ISBN: 1848820585 ISBN-13(EAN): 9781848820586
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 26122.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Defects in semiconductors have been studied for many years, in many cases with a view toward controlling their behaviour through various forms of `defect engineering`. This book covers the properties of the ionized defects that can affect the behaviour of advanced transistors, photo-active devices, catalysts, and sensors.

Defects in Semiconductors,91

Автор: Lucia Romano
Название: Defects in Semiconductors,91
ISBN: 0128019352 ISBN-13(EAN): 9780128019351
Издательство: Elsevier Science
Рейтинг:
Цена: 28633.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание:

This volume, number 91 in the Semiconductor and Semimetals series, focuses on defects in semiconductors. Defects in semiconductors help to explain several phenomena, from diffusion to getter, and to draw theories on materials' behavior in response to electrical or mechanical fields.

The volume includes chapters focusing specifically on electron and proton irradiation of silicon, point defects in zinc oxide and gallium nitride, ion implantation defects and shallow junctions in silicon and germanium, and much more. It will help support students and scientists in their experimental and theoretical paths.

Image Processing of Edge and Surface Defects

Автор: Roman Louban
Название: Image Processing of Edge and Surface Defects
ISBN: 3642260357 ISBN-13(EAN): 9783642260353
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15672.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The edge and surface inspection is one of the most important and most challenging tasks in quality assessment in industrial production. Providing a valuable reference, this book offers a detailed description of optical methods for defect recognition.


ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru
   В Контакте     В Контакте Мед  Мобильная версия