Контакты/Проезд  Доставка и Оплата Помощь/Возврат
История
  +7(495) 980-12-10
  пн-пт: 10-18 сб,вс: 11-18
  shop@logobook.ru
   
    Поиск книг                    Поиск по списку ISBN Расширенный поиск    
Найти
  Зарубежные издательства Российские издательства  
Авторы | Каталог книг | Издательства | Новинки | Учебная литература | Акции | Хиты | |
 

Point Defects in Semiconductors and Insulators, Hans-Joachim Queisser; Johann-Martin Spaeth; Haral


Варианты приобретения
Цена: 25155.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ.  Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть  
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину
в Мои желания

Автор: Hans-Joachim Queisser; Johann-Martin Spaeth; Haral
Название:  Point Defects in Semiconductors and Insulators
ISBN: 9783642627224
Издательство: Springer
Классификация:

ISBN-10: 3642627226
Обложка/Формат: Soft cover
Страницы: 492
Вес: 0.77 кг.
Дата издания: 14.09.2012
Серия: Springer Series in Materials Science
Язык: English
Издание: Softcover reprint of
Иллюстрации: Xi, 492 p.
Размер: 234 x 156 x 26
Читательская аудитория: Professional & vocational
Основная тема: Electronics and Microelectronics, Instrumentation
Подзаголовок: Determination of Atomic and Electronic Structure from Paramagnetic Hyperfine Interactions
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: The precedent book with the title Structural Analysis of Point Defects in Solids: An introduction to multiple magnetic resonance spectroscopy ap- peared about 10 years ago.


Point Defects in Semiconductors I

Автор: J. Friedel; M. Lannoo
Название: Point Defects in Semiconductors I
ISBN: 3642815766 ISBN-13(EAN): 9783642815768
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 14365.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: From its early beginning before the war, the field of semiconductors has developped as a classical example where the standard approximations of `band theory` can be safely used to study its interesting electronic properties.

Electronic Processes in Organic Semiconductors

Автор: Khler Anna
Название: Electronic Processes in Organic Semiconductors
ISBN: 3527332928 ISBN-13(EAN): 9783527332922
Издательство: Wiley
Рейтинг:
Цена: 10288.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The first advanced textbook to focus on the fundamentals in a brief, coherent and comprehensive way. Based on one of the author`s proven lecture course, it prepares students to understand the many multi-authored books available that discuss a particular aspect in more detail.

Oxide Semiconductors,88

Автор: Bengt G. Svensson
Название: Oxide Semiconductors,88
ISBN: 012396489X ISBN-13(EAN): 9780123964892
Издательство: Elsevier Science
Рейтинг:
Цена: 28633.00 р.
Наличие на складе: Поставка под заказ.

Описание: Suitable for physicists, chemists, materials scientists, and device engineers in academia, scientific laboratories and modern industry.

Extended Defects in Semiconductors

Автор: Holt
Название: Extended Defects in Semiconductors
ISBN: 1107424143 ISBN-13(EAN): 9781107424142
Издательство: Cambridge Academ
Рейтинг:
Цена: 11405.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: A discussion of the basic properties of structurally extended defects, their effect on the electronic properties of semiconductors, their role in semiconductor devices, and techniques for their characterization. This text is suitable for advanced undergraduate and graduate students in materials science and engineering, and for those studying semiconductor physics.

Автор: Ruth Shinar, Zhenan Bao, Iain McCulloch
Название: Organic Field-Effect Transistors XII; and Organic Semiconductors in Sensors and Bioelectronics VI (Proceedings of SPIE)
ISBN: 0819496812 ISBN-13(EAN): 9780819496812
Издательство: Mare Nostrum (Eurospan)
Рейтинг:
Цена: 16302.00 р.
Наличие на складе: Нет в наличии.

Описание: Proceedings of SPIE offer access to the latest innovations in research and technology and are among the most cited references in patent literature.

Defects in Semiconductors,91

Автор: Lucia Romano
Название: Defects in Semiconductors,91
ISBN: 0128019352 ISBN-13(EAN): 9780128019351
Издательство: Elsevier Science
Рейтинг:
Цена: 28633.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание:

This volume, number 91 in the Semiconductor and Semimetals series, focuses on defects in semiconductors. Defects in semiconductors help to explain several phenomena, from diffusion to getter, and to draw theories on materials' behavior in response to electrical or mechanical fields.

The volume includes chapters focusing specifically on electron and proton irradiation of silicon, point defects in zinc oxide and gallium nitride, ion implantation defects and shallow junctions in silicon and germanium, and much more. It will help support students and scientists in their experimental and theoretical paths.


ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru
   В Контакте     В Контакте Мед  Мобильная версия