Контакты/Проезд  Доставка и Оплата Помощь/Возврат
История
  +7(495) 980-12-10
  пн-пт: 10-18 сб,вс: 11-18
  shop@logobook.ru
   
    Поиск книг                    Поиск по списку ISBN Расширенный поиск    
Найти
  Зарубежные издательства Российские издательства  
Авторы | Каталог книг | Издательства | Новинки | Учебная литература | Акции | Хиты | |
 

Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect, Jie Cheng


Варианты приобретения
Цена: 18167.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ.  Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть  
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину
в Мои желания

Автор: Jie Cheng
Название:  Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect
ISBN: 9789811061646
Издательство: Springer
Классификация:




ISBN-10: 9811061645
Обложка/Формат: Hardcover
Страницы: 137
Вес: 0.40 кг.
Дата издания: 18.09.2017
Серия: Springer Theses
Язык: English
Издание: 1st ed. 2018
Иллюстрации: 103 illustrations, black and white; xviii, 137 p. 103 illus.
Размер: 234 x 156 x 11
Читательская аудитория: Postgraduate, research & scholarly
Основная тема: Engineering
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: This thesis addresses selected unsolved problems in the chemical mechanical polishing process (CMP) for integrated circuits using ruthenium (Ru) as a novel barrier layer material.


Chemical-Mechanical Polishing of Low Dielectric Constant Polymers and Organosilicate Glasses

Автор: Christopher Lyle Borst; William N. Gill; Ronald J.
Название: Chemical-Mechanical Polishing of Low Dielectric Constant Polymers and Organosilicate Glasses
ISBN: 1461354242 ISBN-13(EAN): 9781461354246
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 19591.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: As semiconductor manufacturers implement copper conductors in advanced interconnect schemes, research and development efforts shift toward the selection of an insulator that can take maximum advantage of the lower power and faster signal propagation allowed by copper interconnects.


ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru
   В Контакте     В Контакте Мед  Мобильная версия