Автор: Siva G. Narendra; Anantha P. Chandrakasan Название: Leakage in Nanometer CMOS Technologies ISBN: 1441938265 ISBN-13(EAN): 9781441938268 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 26120.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Covers in detail promising solutions at the device, circuit, and architecture levels of abstraction after first explaining the sensitivity of the various MOS leakage sources to these conditions from the first principles.
Автор: Nikhil Jayakumar; Suganth Paul; Rajesh Garg Название: Minimizing and Exploiting Leakage in VLSI Design ISBN: 1489985298 ISBN-13(EAN): 9781489985293 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 18284.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: This book presents two techniques to reduce leakage power in digital VLSI ICs. The first reduces leakage through the selective use of high threshold voltage sleep transistors, while the second by applying the optimal Reverse Body Bias voltage.
ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru