Контакты/Проезд  Доставка и Оплата Помощь/Возврат
История
  +7(495) 980-12-10
  пн-пт: 10-18 сб,вс: 11-18
  shop@logobook.ru
   
    Поиск книг                    Поиск по списку ISBN Расширенный поиск    
Найти
  Зарубежные издательства Российские издательства  
Авторы | Каталог книг | Издательства | Новинки | Учебная литература | Акции | Хиты | |
 

Growth of High Permittivity Dielectrics by High Pressure Sputtering from Metallic Targets, Mar?a ?ngela Pampill?n Arce


Варианты приобретения
Цена: 15372.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ.  Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть  
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину
в Мои желания

Автор: Mar?a ?ngela Pampill?n Arce
Название:  Growth of High Permittivity Dielectrics by High Pressure Sputtering from Metallic Targets
ISBN: 9783319666068
Издательство: Springer
Классификация:





ISBN-10: 3319666061
Обложка/Формат: Hardcover
Страницы: 164
Вес: 0.44 кг.
Дата издания: 06.11.2017
Серия: Springer Theses
Язык: English
Издание: 1st ed. 2017
Иллюстрации: 6 tables, color; 6 illustrations, color; 109 illustrations, black and white; approx. 235 p. 115 illus., 6 illus. in color.
Размер: 234 x 156 x 13
Читательская аудитория: Postgraduate, research & scholarly
Основная тема: Physics
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: This thesis describes the fabrication of metal-insulator-semiconductor (MIS) structures using very high permittivity dielectrics (based on rare earths) grown by high-pressure sputtering from metallic targets.


High Dielectric Constant Materials

Автор: Howard Huff; David Gilmer
Название: High Dielectric Constant Materials
ISBN: 364205921X ISBN-13(EAN): 9783642059216
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 48774.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Issues relating to the high-K gate dielectric are among the greatest challenges for the evolving International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS).

Temperature and Frequency Dependence of Complex Permittivity in Metal Oxide Dielectrics: Theory, Modelling and Measurement

Автор: Breeze
Название: Temperature and Frequency Dependence of Complex Permittivity in Metal Oxide Dielectrics: Theory, Modelling and Measurement
ISBN: 3319445456 ISBN-13(EAN): 9783319445458
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16769.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This thesis investigates the dielectric properties of metal-oxide ceramics at microwave frequencies. It also demonstrates for the first time that a theory of harmonic phonon coupling can effectively predict the complex permittivity of metal oxides as a function of temperature and frequency. Dielectric ceramics are an important class of materials for radio-frequency, microwave and emergent terahertz technologies. Their key property is complex permittivity, the real part of which permits the miniaturisation of devices and the imaginary part of which is responsible for the absorption of electromagnetic energy. Absorption limits the practical performance of many microwave devices such as filters, oscillators, passive circuits and antennas. Complex permittivity as a function of temperature for low-loss dielectrics is determined by measuring the resonant frequency of dielectric resonators and using the radial mode matching technique to extract the dielectric properties.There have been only a handful of publications on the theory of dielectric loss, and their predictions have often been unfortunately unsatisfactory when compared to measurements of real crystals, sometimes differing by whole orders of magnitude. The main reason for this is the lack of accurate data for a harmonic coupling coefficient and phonon eigenfrequencies at arbitrary q vectors in the Brillouin zone. Here, a quantum field theory of losses in dielectrics is applied, using results from density functional perturbation theory, to predict from first principles the complex permittivity of metal oxides as functions of frequency and temperature.

High Permittivity Gate Dielectric Materials

Автор: Samares Kar
Название: High Permittivity Gate Dielectric Materials
ISBN: 3662501384 ISBN-13(EAN): 9783662501382
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 18284.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book covers all aspects of the physics and the technology of high permittivity gate dielectric materials. Each chapter covers basic topics, reviews the literature, and details the research contributions of the author`s group to the subject.

Growth and Imperfections of Metallic Crystals / Rost I Nesovershenstva Metallicheskikh Kristallov / ???? ? ?????????????? ????????????? ??????????

Автор: D. E. Ovsienko
Название: Growth and Imperfections of Metallic Crystals / Rost I Nesovershenstva Metallicheskikh Kristallov / ???? ? ?????????????? ????????????? ??????????
ISBN: 1489947450 ISBN-13(EAN): 9781489947451
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 6986.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.


ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru
   В Контакте     В Контакте Мед  Мобильная версия