Transition-Metal Defects in Silicon, Michael Steger

Автор: Steger, Michael
Название: Transition-metal defects in silicon
ISBN: 364235078X ISBN-13(EAN): 9783642350788
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 18167.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book demonstrates the power of isotopic enrichment for high-resolution spectroscopic characterization. It records properties of transition metal centers in silicon with unprecedented accuracy.

Автор: Peter Pichler
Название: Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon
ISBN: 3709172047 ISBN-13(EAN): 9783709172049
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 41925.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book contains the first comprehensive review of intrinsic point defects, impurities and their complexes in silicon.

Автор: Kelly, A. Groves, G.w. Kidd, P. (queen Mary And We
Название: Crystallography and crystal defects
ISBN: 0471720445 ISBN-13(EAN): 9780471720447
Издательство: Wiley
Рейтинг:
Цена: 14256.00 р.
Наличие на складе: Поставка под заказ.

Описание: The study of form and structure of crystals is multidisciplinary and therefore important in the study of physics, chemistry, molecular biology, materials science and mineralogy. This book combines aspects of crystallography, solid state physics and engineering.