Контакты/Проезд  Доставка и Оплата Помощь/Возврат
История
  +7(495) 980-12-10
  пн-пт: 10-18 сб,вс: 11-18
  shop@logobook.ru
   
    Поиск книг                    Поиск по списку ISBN Расширенный поиск    
Найти
  Зарубежные издательства Российские издательства  
Авторы | Каталог книг | Издательства | Новинки | Учебная литература | Акции | Хиты | |
 

Epitaxy, Marian A. Herman; W. Richter; Helmut Sitter


Варианты приобретения
Цена: 28732.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ.  Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть  
При оформлении заказа до: 2025-08-18
Ориентировочная дата поставки: конец Сентября - начало Октября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину
в Мои желания

Автор: Marian A. Herman; W. Richter; Helmut Sitter
Название:  Epitaxy
ISBN: 9783642087370
Издательство: Springer
Классификация:




ISBN-10: 364208737X
Обложка/Формат: Paperback
Страницы: 525
Вес: 0.75 кг.
Дата издания: 01.12.2010
Серия: Springer Series in Materials Science
Язык: English
Размер: 234 x 156 x 28
Основная тема: Physics
Подзаголовок: Physical Principles and Technical Implementation
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание:

Epitaxy provides readers with a comprehensive treatment of the modern models and modifications of epitaxy, together with the relevant experimental and technological framework. This advanced textbook describes all important aspects of the epitaxial growth processes of solid films on crystalline substrates, including a section on heteroepitaxy. It covers and discusses in details the most important epitaxial growth techniques, which are currently widely used in basic research as well as in manufacturing processes of devices, namely solid-phase epitaxy, liquid-phase epitaxy, vapor-phase epitaxy, including metal-organic vapor-phase epitaxy and molecular-beam epitaxy. Epitaxys coverage of science and texhnology thin-film is intended to fill the need for a comprehensive reference and text examining the variety of problems related to the physical foundations and technical implementation of epitaxial crystallization.




Growth Processes and Surface Phase Equilibria in Molecular Beam Epitaxy

Автор: Nikolai N. Ledentsov
Название: Growth Processes and Surface Phase Equilibria in Molecular Beam Epitaxy
ISBN: 3642085075 ISBN-13(EAN): 9783642085079
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 20263.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Molecular Beam Epitaxy

Автор: Marian A. Herman; Helmut Sitter
Название: Molecular Beam Epitaxy
ISBN: 3642971008 ISBN-13(EAN): 9783642971006
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 10448.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD`97

Автор: Peter Kordos; Josef Nov?k
Название: Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD`97
ISBN: 079235012X ISBN-13(EAN): 9780792350125
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 30606.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Discusses various questions related to the use of materials, such as compound semiconductors based on high band-gap nitrides and low band-gap antimonides, procedures, such as low-temperature epitaxial growth, and principles, such as nanostructures, quantum wires and dots.

Molecular Beam Epitaxy

Автор: Marian A. Herman; Helmut Sitter
Название: Molecular Beam Epitaxy
ISBN: 3642800629 ISBN-13(EAN): 9783642800627
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 11101.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: It discusses the most important aspects of the MBE apparatus, the physics and chemistry of the crystallization of various materials and device structures, and the characterization methods that relate the structural parameters of the grown (or growing) film or structure to the technologically relevant procedure.

Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD`97

Автор: Peter Kordos; Josef Nov?k
Название: Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD`97
ISBN: 0792350138 ISBN-13(EAN): 9780792350132
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15372.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Discusses various questions related to the use of materials, such as compound semiconductors based on high band-gap nitrides and low band-gap antimonides, procedures, such as low-temperature epitaxial growth, and principles, such as nanostructures, quantum wires and dots.

Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures

Автор: L.L. Chang; K. Ploog
Название: Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures
ISBN: 940108744X ISBN-13(EAN): 9789401087445
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 12157.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Molecular Beam Epitaxy (MBE) and Heterostructures, Erice, Italy, March 7-19, 1983

Growth Processes and Surface Phase Equilibria in Molecular Beam Epitaxy

Автор: Nikolai N. Ledentsov
Название: Growth Processes and Surface Phase Equilibria in Molecular Beam Epitaxy
ISBN: 3540657940 ISBN-13(EAN): 9783540657941
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 20263.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This text considers the main growth-related phenomena occurring during epitaxial growth, such as thermal etching, doping, segregation of the main elements and impurities, coexistence of several phases at the crystal surface and segregation-enhanced diffusion.

Heterostructure Epitaxy and Devices

Автор: Josef Nov?k; A. Schlachetzki
Название: Heterostructure Epitaxy and Devices
ISBN: 9401065934 ISBN-13(EAN): 9789401065931
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 11179.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop, Smolenice Castle, Slovakia, October 15-19, 1995

Gas Source Molecular Beam Epitaxy

Автор: Morton B. Panish; Henryk Temkin
Название: Gas Source Molecular Beam Epitaxy
ISBN: 3642781292 ISBN-13(EAN): 9783642781292
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15672.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The first book to present a unified treatment of hybrid source MBE and metalorganic MBE. Since metalorganic MBE permits selective area growth, the latest information on its application to the INP/GaInAs(P) system is presented.


ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru
   В Контакте     В Контакте Мед  Мобильная версия