Автор: J. Meese Название: Neutron Transmutation Doping in Semiconductors ISBN: 1468482513 ISBN-13(EAN): 9781468482515 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 13060.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: This volume contains the invited and contributed papers presented at the Second International Conference on Neutron Transmutation Doping in Semiconductors held April 23-26, 1978 at the University of Missouri-Columbia.
Автор: Robert D. Larrabee Название: Neutron Transmutation Doping of Semiconductor Materials ISBN: 1461296757 ISBN-13(EAN): 9781461296751 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 12157.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: In addition, four papers were pre- sented on NTD of nonsilicon semiconductors, five papers on irra- diation technology, three papers on practical utilization of NTD silicon, four papers on the characterization of NTD silicon, and five papers on neutron damage and annealing.
Автор: Gordon J. Kearley; Vanessa K. Peterson Название: Neutron Applications in Materials for Energy ISBN: 3319066552 ISBN-13(EAN): 9783319066554 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 18284.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Neutron Applications in Materials for Energy
ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru
