Neutron-Transmutation-Doped Silicon, Jens Guldberg

Автор: J. Meese
Название: Neutron Transmutation Doping in Semiconductors
ISBN: 1468482513 ISBN-13(EAN): 9781468482515
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13060.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This volume contains the invited and contributed papers presented at the Second International Conference on Neutron Transmutation Doping in Semiconductors held April 23-26, 1978 at the University of Missouri-Columbia.

Автор: Gordon J. Kearley; Vanessa K. Peterson
Название: Neutron Applications in Materials for Energy
ISBN: 3319066552 ISBN-13(EAN): 9783319066554
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 18284.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Neutron Applications in Materials for Energy

Автор: Robert D. Larrabee
Название: Neutron Transmutation Doping of Semiconductor Materials
ISBN: 1461296757 ISBN-13(EAN): 9781461296751
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 12157.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: In addition, four papers were pre- sented on NTD of nonsilicon semiconductors, five papers on irra- diation technology, three papers on practical utilization of NTD silicon, four papers on the characterization of NTD silicon, and five papers on neutron damage and annealing.