Автор: E.H.C. Parker Название: The Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy ISBN: 1489953663 ISBN-13(EAN): 9781489953667 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 16979.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Автор: Morton B. Panish; Henryk Temkin Название: Gas Source Molecular Beam Epitaxy ISBN: 3642781292 ISBN-13(EAN): 9783642781292 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 15672.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: The first book to present a unified treatment of hybrid source MBE and metalorganic MBE. Since metalorganic MBE permits selective area growth, the latest information on its application to the INP/GaInAs(P) system is presented.
Автор: Marian A. Herman; Helmut Sitter Название: Molecular Beam Epitaxy ISBN: 3642971008 ISBN-13(EAN): 9783642971006 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 10448.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Автор: L.L. Chang; K. Ploog Название: Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures ISBN: 940108744X ISBN-13(EAN): 9789401087445 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 12157.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Molecular Beam Epitaxy (MBE) and Heterostructures, Erice, Italy, March 7-19, 1983
Описание: This text considers the main growth-related phenomena occurring during epitaxial growth, such as thermal etching, doping, segregation of the main elements and impurities, coexistence of several phases at the crystal surface and segregation-enhanced diffusion.
Автор: Peter Kordos; Josef Nov?k Название: Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD`97 ISBN: 079235012X ISBN-13(EAN): 9780792350125 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 30606.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Discusses various questions related to the use of materials, such as compound semiconductors based on high band-gap nitrides and low band-gap antimonides, procedures, such as low-temperature epitaxial growth, and principles, such as nanostructures, quantum wires and dots.
Автор: Marian A. Herman; Helmut Sitter Название: Molecular Beam Epitaxy ISBN: 3642800629 ISBN-13(EAN): 9783642800627 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 11101.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: It discusses the most important aspects of the MBE apparatus, the physics and chemistry of the crystallization of various materials and device structures, and the characterization methods that relate the structural parameters of the grown (or growing) film or structure to the technologically relevant procedure.
Автор: Peter Kordos; Josef Nov?k Название: Heterostructure Epitaxy and Devices - HEAD`97 ISBN: 0792350138 ISBN-13(EAN): 9780792350132 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 15372.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Discusses various questions related to the use of materials, such as compound semiconductors based on high band-gap nitrides and low band-gap antimonides, procedures, such as low-temperature epitaxial growth, and principles, such as nanostructures, quantum wires and dots.
Автор: Josef Nov?k; A. Schlachetzki Название: Heterostructure Epitaxy and Devices ISBN: 9401065934 ISBN-13(EAN): 9789401065931 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 11179.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop, Smolenice Castle, Slovakia, October 15-19, 1995
ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru