Nanowire Field Effect Transistors: Principles and Applications, Dae Mann Kim; Yoon-Ha Jeong

Автор: Dae Mann Kim; Yoon-Ha Jeong
Название: Nanowire Field Effect Transistors: Principles and Applications
ISBN: 1461481236 ISBN-13(EAN): 9781461481232
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16979.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book covers the basic physics and electronics leading to the conceptual understanding of nanowire field effect transistors (NWFET) and its practical aspects. It discusses mainstream applications and emphasizes their basic concepts.

Автор: Ahmet Bindal; Sotoudeh Hamedi-Hagh
Название: Silicon Nanowire Transistors
ISBN: 331927175X ISBN-13(EAN): 9783319271750
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 11179.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: These include an SRAM, a baseband spread spectrum transmitter, a neuron cell and a Field Programmable Gate Array (FPGA) platform in the digital domain, as well as high bandwidth single-stage and operational amplifiers, RF communication circuits in the analog domain, in order to show this technology`s true potential for the next generation VLSI.

Автор: Amit Chaudhry
Название: Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors
ISBN: 1493944827 ISBN-13(EAN): 9781493944828
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16977.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book covers principles and theory of nanoscale transistors, including quantum mechanical tunneling and inversion layer quantization and solutions like high-k and strained-Si technology, alternate structures and graphene technology. Includes case studies.

Автор: Jian-Wei Liu
Название: Well-Organized Inorganic Nanowire Films
ISBN: 9811039461 ISBN-13(EAN): 9789811039461
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15372.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This thesis presents the latest findings on macroscopic-scale nanowire thin films composed of integrated nanowires. The book highlights examples specific to well-aligned nanowire systems, and explores the applications of nanowire systems, including memory devices, flexible transparent electrodes, etc.

Автор: Mark Lundstrom; Jing Guo
Название: Nanoscale Transistors
ISBN: 1441939156 ISBN-13(EAN): 9781441939159
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16977.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: To push MOSFETs to their scaling limits and to explore devices that may complement or even replace them at molecular scale, a clear understanding of device physics at nanometer scale is necessary.

Автор: Amit Chaudhry
Название: Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors
ISBN: 1461468213 ISBN-13(EAN): 9781461468219
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 19591.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book covers principles and theory of nanoscale transistors, including quantum mechanical tunneling and inversion layer quantization and solutions like high-k and strained-Si technology, alternate structures and graphene technology. Includes case studies.

Автор: Tobias Erlbacher
Название: Lateral Power Transistors in Integrated Circuits
ISBN: 3319004999 ISBN-13(EAN): 9783319004990
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 19564.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book details and compares recent advancements in the development of novel lateral power transistors (LDMOS devices) for integrated circuits in power electronic applications. It includes the state-of-the-art concept of double-acting RESURF topologies.