Point Defects in Semiconductors and Insulators, Hans-Joachim Queisser; Johann-Martin Spaeth; Haral

Автор: Hans-Joachim Queisser; Johann-Martin Spaeth; Haral
Название: Point Defects in Semiconductors and Insulators
ISBN: 3642627226 ISBN-13(EAN): 9783642627224
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 25155.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The precedent book with the title "Structural Analysis of Point Defects in Solids: An introduction to multiple magnetic resonance spectroscopy" ap- peared about 10 years ago.

Автор: Farzaneh
Название: Insulators for Icing and Polluted Environments
ISBN: 0470282347 ISBN-13(EAN): 9780470282342
Издательство: Wiley
Рейтинг:
Цена: 26286.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: With the widespread use of EHV equipment in winter environments, winter flashovers at air temperature close to melting point have become a critical design constraint.

Автор: Palyi, Andras Asboth, Janos K. Oroszlany, Laszlo
Название: Short course on topological insulators
ISBN: 331925605X ISBN-13(EAN): 9783319256054
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 4890.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This course-based primer provides newcomers to the field with a concise introduction to some of the core topics in the emerging field of topological insulators. The aim is to provide a basic understanding of edge states, bulk topological invariants, and of the bulk--boundary correspondence with as simple mathematical tools as possible.

Автор: Konstantin O. Papailiou; Frank Schmuck
Название: Silicone Composite Insulators
ISBN: 3662518546 ISBN-13(EAN): 9783662518540
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16977.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Composite Insulators for Electric Power Networks provides an overview of composite insulators for power transmission. The text serves as a guide for readers on topics like material selection, properties and design, applications, and the recycling of these composite materials.

Автор: Shun-Qing Shen
Название: Topological Insulators
ISBN: 9811046050 ISBN-13(EAN): 9789811046056
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16769.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The first of its kind on the topic, this book presents a unified description of topological insulators in one, two and three dimensions based on the modified Dirac equation. Discusses topological invariants and their applications to a variety of systems.

Автор: Paola Di Pietro
Название: Optical Properties of Bismuth-Based Topological Insulators
ISBN: 3319350447 ISBN-13(EAN): 9783319350448
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13059.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book examines the low energy optical conductivity of TIs to distinguish the extrinsic charge contribution of the bulk from the intrinsic contribution of the surface state carriers. Describes apparatus, methods, sample preparation and analysis procedures.

Автор: J. Chikawa; K. Sumino; K. Wada
Название: Defects and Properties of Semiconductors
ISBN: 9401086168 ISBN-13(EAN): 9789401086165
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 12157.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Defect study in semiconductor engineering started originally with seeking methods how to suppress generation of harmful defects during device processing in order to achieve a high yield of device fabrication.

Автор: Victor Gloumov; Victor A. Perevostchikov; Vladimir
Название: Gettering Defects in Semiconductors
ISBN: 3642065708 ISBN-13(EAN): 9783642065705
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 30606.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Автор: Lucia Romano
Название: Defects in Semiconductors,91
ISBN: 0128019352 ISBN-13(EAN): 9780128019351
Издательство: Elsevier Science
Рейтинг:
Цена: 28633.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание:

This volume, number 91 in the Semiconductor and Semimetals series, focuses on defects in semiconductors. Defects in semiconductors help to explain several phenomena, from diffusion to getter, and to draw theories on materials' behavior in response to electrical or mechanical fields.