Контакты/Проезд  Доставка и Оплата Помощь/Возврат
История
  +7(495) 980-12-10
  пн-пт: 10-18 сб,вс: 11-18
  shop@logobook.ru
   
    Поиск книг                    Поиск по списку ISBN Расширенный поиск    
Найти
  Зарубежные издательства Российские издательства  
Авторы | Каталог книг | Издательства | Новинки | Учебная литература | Акции | Хиты | |
 

Defects and Properties of Semiconductors, J. Chikawa; K. Sumino; K. Wada


Варианты приобретения
Цена: 12157.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ.  Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть  
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину
в Мои желания

Автор: J. Chikawa; K. Sumino; K. Wada
Название:  Defects and Properties of Semiconductors
ISBN: 9789401086165
Издательство: Springer
Классификация:





ISBN-10: 9401086168
Обложка/Формат: Paperback
Страницы: 300
Вес: 0.37 кг.
Дата издания: 25.12.2011
Серия: Advances in Solid State Technology
Язык: English
Размер: 229 x 152 x 15
Основная тема: Physics
Подзаголовок: Defect Engineering
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: Defect study in semiconductor engineering started originally with seeking methods how to suppress generation of harmful defects during device processing in order to achieve a high yield of device fabrication.


Extended Defects in Semiconductors

Автор: Holt
Название: Extended Defects in Semiconductors
ISBN: 1107424143 ISBN-13(EAN): 9781107424142
Издательство: Cambridge Academ
Рейтинг:
Цена: 11405.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: A discussion of the basic properties of structurally extended defects, their effect on the electronic properties of semiconductors, their role in semiconductor devices, and techniques for their characterization. This text is suitable for advanced undergraduate and graduate students in materials science and engineering, and for those studying semiconductor physics.

Point Defects in Semiconductors I

Автор: J. Friedel; M. Lannoo
Название: Point Defects in Semiconductors I
ISBN: 3642815766 ISBN-13(EAN): 9783642815768
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 14365.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: From its early beginning before the war, the field of semiconductors has developped as a classical example where the standard approximations of `band theory` can be safely used to study its interesting electronic properties.

Point Defects in Semiconductors and Insulators

Автор: Hans-Joachim Queisser; Johann-Martin Spaeth; Haral
Название: Point Defects in Semiconductors and Insulators
ISBN: 3540426957 ISBN-13(EAN): 9783540426950
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 34937.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The precedent book with the title "Structural Analysis of Point Defects in Solids: An introduction to multiple magnetic resonance spectroscopy" ap- peared about 10 years ago.

Point Defects in Semiconductors II

Автор: J. Bourgoin
Название: Point Defects in Semiconductors II
ISBN: 364281834X ISBN-13(EAN): 9783642818349
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16769.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: In introductory solid-state physics texts we are introduced to the concept of a perfect crystalline solid with every atom in its proper place.

Point and Extended Defects in Semiconductors

Автор: Giorgio Benedek
Название: Point and Extended Defects in Semiconductors
ISBN: 146845711X ISBN-13(EAN): 9781468457117
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 6986.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The systematic study of defects in semiconductors began in the early fifties. Most participants are currently working on defect problems in either silicon submicron technology or in quantum wells and superlattices, where point defects, dislocations, interfaces and surfaces are closely packed together.

Defects in Semiconductors,91

Автор: Lucia Romano
Название: Defects in Semiconductors,91
ISBN: 0128019352 ISBN-13(EAN): 9780128019351
Издательство: Elsevier Science
Рейтинг:
Цена: 28633.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание:

This volume, number 91 in the Semiconductor and Semimetals series, focuses on defects in semiconductors. Defects in semiconductors help to explain several phenomena, from diffusion to getter, and to draw theories on materials' behavior in response to electrical or mechanical fields.

The volume includes chapters focusing specifically on electron and proton irradiation of silicon, point defects in zinc oxide and gallium nitride, ion implantation defects and shallow junctions in silicon and germanium, and much more. It will help support students and scientists in their experimental and theoretical paths.

Point Defects in Semiconductors and Insulators

Автор: Hans-Joachim Queisser; Johann-Martin Spaeth; Haral
Название: Point Defects in Semiconductors and Insulators
ISBN: 3642627226 ISBN-13(EAN): 9783642627224
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 25155.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The precedent book with the title "Structural Analysis of Point Defects in Solids: An introduction to multiple magnetic resonance spectroscopy" ap- peared about 10 years ago.

Gettering Defects in Semiconductors

Автор: Victor Gloumov; Victor A. Perevostchikov; Vladimir
Название: Gettering Defects in Semiconductors
ISBN: 3642065708 ISBN-13(EAN): 9783642065705
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 30606.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.


ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru
   В Контакте     В Контакте Мед  Мобильная версия