Контакты/Проезд  Доставка и Оплата Помощь/Возврат
История
  +7(495) 980-12-10
  пн-пт: 10-18 сб,вс: 11-18
  shop@logobook.ru
   
    Поиск книг                    Поиск по списку ISBN Расширенный поиск    
Найти
  Зарубежные издательства Российские издательства  
Авторы | Каталог книг | Издательства | Новинки | Учебная литература | Акции | Хиты | |
 

Digital Noise Monitoring of Defect Origin, Telman Aliev


Варианты приобретения
Цена: 23757.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ.  Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть  
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину
в Мои желания

Автор: Telman Aliev
Название:  Digital Noise Monitoring of Defect Origin
ISBN: 9781441944108
Издательство: Springer
Классификация:



ISBN-10: 1441944109
Обложка/Формат: Paperback
Страницы: 224
Вес: 0.34 кг.
Дата издания: 24.11.2010
Серия: Lecture Notes in Electrical Engineering
Язык: English
Размер: 234 x 156 x 13
Основная тема: Engineering
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: This book explores the initial stage of the origin of the defect taking into account technical, biological, and other features of several technologies. These technologies allow the defect monitoring at the beginning of the defect origin to be performed at the expense of extracting information from the noise.


Defect-Oriented Testing for Nano-Metric CMOS VLSI Circuits

Автор: Manoj Sachdev; Jose Pineda de Gyvez
Название: Defect-Oriented Testing for Nano-Metric CMOS VLSI Circuits
ISBN: 1441942858 ISBN-13(EAN): 9781441942852
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 26120.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The 2nd edition of defect oriented testing has been extensively updated. New chapters on Functional, Parametric Defect Models and Inductive fault Analysis and Yield Engineering have been added to provide a link between defect sources and yield.

Integrated Circuit Defect-Sensitivity: Theory and Computational Models

Автор: Jos? Pineda de Gyvez
Название: Integrated Circuit Defect-Sensitivity: Theory and Computational Models
ISBN: 1461363837 ISBN-13(EAN): 9781461363835
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 18167.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The expectation was that many small design companies would share the investment into the extremely costful Silicon fabrication plants while designing large lots of application-specific integrated circuits (ASIC`s).

Patterns, Defects and Materials Instabilities

Автор: D. Walgraef; N.M. Ghoniem
Название: Patterns, Defects and Materials Instabilities
ISBN: 9401067554 ISBN-13(EAN): 9789401067553
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 12157.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Proceedings of the NATO Advanced Study Institute, Cargese, France, September 4-15, 1989

From Contamination to Defects, Faults and Yield Loss

Автор: Jitendra B. Khare; Wojciech Maly
Название: From Contamination to Defects, Faults and Yield Loss
ISBN: 146128595X ISBN-13(EAN): 9781461285953
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16979.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Given such a high level of investment, it is critical for IC manufacturers to reduce manufacturing costs and get a better return on their investment. The most obvious method of reducing the manufacturing cost per die is to improve manufacturing yield.

Defect and Fault Tolerance in VLSI Systems

Автор: C.H. Stapper; V.K. Jain; Gabriele Saucier
Название: Defect and Fault Tolerance in VLSI Systems
ISBN: 1475799594 ISBN-13(EAN): 9781475799590
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 20962.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Higher circuit densities, increasingly more complex application ohjectives, and advanced packaging technologies have suhstantially increased the need to incorporate defect-tolerance and fault-tolerance in the design of VLSI and WSI systems.

Stochastic Dynamics of Crystal Defects

Автор: Thomas D Swinburne
Название: Stochastic Dynamics of Crystal Defects
ISBN: 3319200186 ISBN-13(EAN): 9783319200187
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15672.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Introduction.- Dislocations.- Stochastic Motion.- Atomistic simulations in bcc Metals.- Properties of Coarse Grained Dislocations.- The Stochastic Force on Crystal Defects.- Conclusions and Outlook.


ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru
   В Контакте     В Контакте Мед  Мобильная версия