Digital Noise Monitoring of Defect Origin, Telman Aliev
Автор: Manoj Sachdev; Jose Pineda de Gyvez Название: Defect-Oriented Testing for Nano-Metric CMOS VLSI Circuits ISBN: 1441942858 ISBN-13(EAN): 9781441942852 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 26120.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: The 2nd edition of defect oriented testing has been extensively updated. New chapters on Functional, Parametric Defect Models and Inductive fault Analysis and Yield Engineering have been added to provide a link between defect sources and yield.
Описание: The expectation was that many small design companies would share the investment into the extremely costful Silicon fabrication plants while designing large lots of application-specific integrated circuits (ASIC`s).
Автор: D. Walgraef; N.M. Ghoniem Название: Patterns, Defects and Materials Instabilities ISBN: 9401067554 ISBN-13(EAN): 9789401067553 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 12157.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Proceedings of the NATO Advanced Study Institute, Cargese, France, September 4-15, 1989
Автор: Jitendra B. Khare; Wojciech Maly Название: From Contamination to Defects, Faults and Yield Loss ISBN: 146128595X ISBN-13(EAN): 9781461285953 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 16979.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Given such a high level of investment, it is critical for IC manufacturers to reduce manufacturing costs and get a better return on their investment. The most obvious method of reducing the manufacturing cost per die is to improve manufacturing yield.
Автор: C.H. Stapper; V.K. Jain; Gabriele Saucier Название: Defect and Fault Tolerance in VLSI Systems ISBN: 1475799594 ISBN-13(EAN): 9781475799590 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 20962.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Higher circuit densities, increasingly more complex application ohjectives, and advanced packaging technologies have suhstantially increased the need to incorporate defect-tolerance and fault-tolerance in the design of VLSI and WSI systems.
Автор: Thomas D Swinburne Название: Stochastic Dynamics of Crystal Defects ISBN: 3319200186 ISBN-13(EAN): 9783319200187 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 15672.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Introduction.- Dislocations.- Stochastic Motion.- Atomistic simulations in bcc Metals.- Properties of Coarse Grained Dislocations.- The Stochastic Force on Crystal Defects.- Conclusions and Outlook.
ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru