Контакты/Проезд  Доставка и Оплата Помощь/Возврат
История
  +7(495) 980-12-10
  пн-пт: 10-18 сб,вс: 11-18
  shop@logobook.ru
   
    Поиск книг                    Поиск по списку ISBN Расширенный поиск    
Найти
  Зарубежные издательства Российские издательства  
Авторы | Каталог книг | Издательства | Новинки | Учебная литература | Акции | Хиты | |
 

From Contamination to Defects, Faults and Yield Loss, Jitendra B. Khare; Wojciech Maly


Варианты приобретения
Цена: 16979.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ.  Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть  
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину
в Мои желания

Автор: Jitendra B. Khare; Wojciech Maly
Название:  From Contamination to Defects, Faults and Yield Loss
ISBN: 9781461285953
Издательство: Springer
Классификация:



ISBN-10: 146128595X
Обложка/Формат: Soft cover
Страницы: 150
Вес: 0.27 кг.
Дата издания: 26.09.2011
Серия: Frontiers in Electronic Testing
Язык: English
Издание: Softcover reprint of
Иллюстрации: Xvi, 150 p.
Размер: 234 x 156 x 9
Читательская аудитория: Professional & vocational
Основная тема: Circuits and Systems
Подзаголовок: Simulation and Applications
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: Given such a high level of investment, it is critical for IC manufacturers to reduce manufacturing costs and get a better return on their investment. The most obvious method of reducing the manufacturing cost per die is to improve manufacturing yield.


Online Location of Faults on AC Cables in Underground Transmission Systems

Автор: Christian Flytkj?r Jensen
Название: Online Location of Faults on AC Cables in Underground Transmission Systems
ISBN: 3319053973 ISBN-13(EAN): 9783319053974
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 22359.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book reports on various techniques for fault location on cross bonded cables, identifies the best method and describes the construction of a full fault locator system.

Charged Semiconductor Defects

Автор: Edmund G. Seebauer; Meredith C. Kratzer
Название: Charged Semiconductor Defects
ISBN: 1849968209 ISBN-13(EAN): 9781849968201
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 26120.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: "Charged Defects in Semiconductors" details the current state of knowledge regarding the properties of the ionized defects that can affect the behaviour of advanced transistors, photo-active devices, catalysts, and sensors.

Point Defects in Semiconductors and Insulators

Автор: Hans-Joachim Queisser; Johann-Martin Spaeth; Haral
Название: Point Defects in Semiconductors and Insulators
ISBN: 3642627226 ISBN-13(EAN): 9783642627224
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 25155.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The precedent book with the title "Structural Analysis of Point Defects in Solids: An introduction to multiple magnetic resonance spectroscopy" ap- peared about 10 years ago.

Defects in Semiconductors,91

Автор: Lucia Romano
Название: Defects in Semiconductors,91
ISBN: 0128019352 ISBN-13(EAN): 9780128019351
Издательство: Elsevier Science
Рейтинг:
Цена: 28633.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание:

This volume, number 91 in the Semiconductor and Semimetals series, focuses on defects in semiconductors. Defects in semiconductors help to explain several phenomena, from diffusion to getter, and to draw theories on materials' behavior in response to electrical or mechanical fields.

The volume includes chapters focusing specifically on electron and proton irradiation of silicon, point defects in zinc oxide and gallium nitride, ion implantation defects and shallow junctions in silicon and germanium, and much more. It will help support students and scientists in their experimental and theoretical paths.

Charged Semiconductor Defects

Автор: Edmund G. Seebauer; Meredith C. Kratzer
Название: Charged Semiconductor Defects
ISBN: 1848820585 ISBN-13(EAN): 9781848820586
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 26122.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Defects in semiconductors have been studied for many years, in many cases with a view toward controlling their behaviour through various forms of `defect engineering`. This book covers the properties of the ionized defects that can affect the behaviour of advanced transistors, photo-active devices, catalysts, and sensors.

Optically Active Charge Traps and Chemical Defects in Semiconducting Nanocrystals Probed by Pulsed Optically Detected Magnetic Resonance

Автор: Kipp van Schooten
Название: Optically Active Charge Traps and Chemical Defects in Semiconducting Nanocrystals Probed by Pulsed Optically Detected Magnetic Resonance
ISBN: 3319005898 ISBN-13(EAN): 9783319005898
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 18167.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book lays the groundwork for further use of Electron Spin Echo Envelop Modulation (ESEEM) and opens the possibility of highly precise chemical fingerprinting. It reveals an astonishingly long memory of spin coherence in semiconductor particles.


ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru
   В Контакте     В Контакте Мед  Мобильная версия