Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors, Jeroen A. Croon; Willy M Sansen; Herman E. Maes

Автор: Ting Lei
Название: Design, Synthesis, and Structure-Property Relationship Study of Polymer Field-Effect Transistors
ISBN: 3662456664 ISBN-13(EAN): 9783662456668
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13974.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The book summarizes Ting Lei`s PhD study on a series of novel conjugated polymers for field-effect transistors (FETs). Studies contain many aspects of polymer FETs, including backbone design, side-chain engineering, property study, conformation effects and device fabrication.

Автор: Geert Hellings; Kristin De Meyer
Название: High Mobility and Quantum Well Transistors
ISBN: 9400763395 ISBN-13(EAN): 9789400763395
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 18284.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book explores the use of high mobility semiconductors such as germanium and III-V materials, the need to redesign transistors to work with such materials and the appropriateness of Quantum Well-based transistors for this new stage of transistor evolution.

Автор: Ahmet Bindal; Sotoudeh Hamedi-Hagh
Название: Silicon Nanowire Transistors
ISBN: 331927175X ISBN-13(EAN): 9783319271750
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 11179.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: These include an SRAM, a baseband spread spectrum transmitter, a neuron cell and a Field Programmable Gate Array (FPGA) platform in the digital domain, as well as high bandwidth single-stage and operational amplifiers, RF communication circuits in the analog domain, in order to show this technology`s true potential for the next generation VLSI.

Автор: Amit Chaudhry
Название: Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors
ISBN: 1493944827 ISBN-13(EAN): 9781493944828
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16977.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book covers principles and theory of nanoscale transistors, including quantum mechanical tunneling and inversion layer quantization and solutions like high-k and strained-Si technology, alternate structures and graphene technology. Includes case studies.

Автор: J.-P. Colinge
Название: FinFETs and Other Multi-Gate Transistors
ISBN: 1441944095 ISBN-13(EAN): 9781441944092
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 20896.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book explains the physics and properties of multi-gate field-effect transistors (MuGFETs), how they are made and how circuit designers can use them to improve the performances of integrated circuits.

Автор: S.D. Brotherton
Название: Introduction to Thin Film Transistors: Physics and Technology of TFTs
ISBN: 3319000012 ISBN-13(EAN): 9783319000015
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 10480.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book surveys the technology and applications of TFTs, covering hydrogenated amorphous silicon, poly-crystalline silicon, transparent amorphous oxide semiconductors, organic semiconductors and others that form the core of the flat panel display industry.

Автор: Tarek Zaki
Название: Short-Channel Organic Thin-Film Transistors
ISBN: 3319369806 ISBN-13(EAN): 9783319369808
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13059.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This work takes advantage of high-resolution silicon stencil masks to build air-stable complementary OTFTs using a low-temperature fabrication process. the masks exhibit excellent stiffness and stability, thus allowing OTFTs with submicrometer channel lengths and superb device uniformity to be patterned.

Автор: Tobias Erlbacher
Название: Lateral Power Transistors in Integrated Circuits
ISBN: 3319345206 ISBN-13(EAN): 9783319345208
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 14365.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book details and compares recent advancements in the development of novel lateral power transistors (LDMOS devices) for integrated circuits in power electronic applications. It includes the state-of-the-art concept of double-acting RESURF topologies.

Автор: Valizadeh Pouya
Название: Field Effect Transistors, a Comprehensive Overview
ISBN: 1119155495 ISBN-13(EAN): 9781119155492
Издательство: Wiley
Рейтинг:
Цена: 18208.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book discusses modern-day Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) and future trends of transistor devices. This book provides an overview of Field Effect Transistors (FETs) by discussing the basic principles of FETs and exploring the latest technological developments in the field.

Автор: Mark Lundstrom; Jing Guo
Название: Nanoscale Transistors
ISBN: 1441939156 ISBN-13(EAN): 9781441939159
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16977.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: To push MOSFETs to their scaling limits and to explore devices that may complement or even replace them at molecular scale, a clear understanding of device physics at nanometer scale is necessary.

Автор: Seongil Im, Youn-Gyoung Chang, Jae Hoon Kim
Название: Photo-Excited Charge Collection Spectroscopy: Probing the traps in field-effect transistors (SpringerBriefs in Physics)
ISBN: 9400763913 ISBN-13(EAN): 9789400763913
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 6529.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Solid state field-effect devices such as organic and inorganic-channel thin-film transistors (TFTs) have been expected to promote advances in display and sensor electronics.