Advanced Tropological Insulator Materials, Ashutosh Tiwari

Автор: Sorin Cristoloveanu; Sheng Li
Название: Electrical Characterization of Silicon-on-Insulator Materials and Devices
ISBN: 0792395484 ISBN-13(EAN): 9780792395485
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 32652.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Describes a variety of electrical characterization methods, from wafer screening and defect identification to detailed device evaluation. This book provides a comprehensive treatment of different aspects of SOI technologies, including material synthesis, device physics, characterization, circuit applications, and reliability issues.

Автор: Alexei Nazarov; J.-P. Colinge; Francis Balestra; J
Название: Semiconductor-On-Insulator Materials for Nanoelectronics Applications
ISBN: 3642267084 ISBN-13(EAN): 9783642267086
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 26120.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Devoted to the evolving field of modern nanoelectronics, this volume presents the physics and technology of nanoelectronic devices built on semiconductor-on-insulator (SemOI) systems. Topics include new semiconductor-on-insulator materials, physics of modern SemOI devices, and MEMS on SOI.

Автор: J.-P. Colinge
Название: Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI
ISBN: 1461347955 ISBN-13(EAN): 9781461347958
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 23508.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI, Third Edition, retraces the evolution of SOI materials, devices and circuits over a period of roughly twenty years.

Автор: Sorin Cristoloveanu; Sheng Li
Название: Electrical Characterization of Silicon-on-Insulator Materials and Devices
ISBN: 1461359457 ISBN-13(EAN): 9781461359456
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 32652.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Автор: Denis Flandre; Alexei N. Nazarov; Peter L.F. Hemme
Название: Science and Technology of Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating in a Harsh Environment
ISBN: 1402030118 ISBN-13(EAN): 9781402030116
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 33401.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Collects the papers presented during NATO Advanced Research Workshop `Science and technology of Semiconductor on Insulator (SOI) structures and devices operating in a harsh environment` held in Kiev 26-30 April 2004. This volume contains both reviews from invited speakers and selected papers presenting innovations in SOI materials and devices.

Автор: S. Furukawa
Название: Silicon-on-Insulator
ISBN: 9401088462 ISBN-13(EAN): 9789401088466
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 12157.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This volume contains papers presented during the US-Japan seminar on "Solid Phase Epitaxy and Interface Kinetics" held in Oiso, Japan, June 20-24, 1983.

Автор: Florian Gebhard
Название: The Mott Metal-Insulator Transition
ISBN: 3642082637 ISBN-13(EAN): 9783642082634
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 26120.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Little do we reliably know about the Mott transition, and we are far from a complete understanding of the metal --insulator transition due to electr- electron interactions. The Hubbard model describes a Mott transition with a mere minimum of tunable par- eters, and various exact statements and even exact solutions exist in certain limiting cases.

Автор: J.-P. Colinge
Название: Silicon-on-Insulator Technology
ISBN: 0792391500 ISBN-13(EAN): 9780792391500
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 23757.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Explains the principles and the physics of SOI materials fabrication and characterization, SOI processing SOI MOSFET device physics, and the use of SOI material in novel device design. The performances of SOI circuits for VLSI/ULSI and for niche applications are also described.

Автор: J.-P. Colinge
Название: Silicon-on-Insulator Technology
ISBN: 079238007X ISBN-13(EAN): 9780792380078
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 23757.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Describes the different facets of Silicon-on-Insulator technology. This title presents a review of SOI materials, devices and circuits. It discusses SOI fabrication and characterization techniques, SOI device processing, the physics of the SOI MOSFET as well as that of SOI other devices, and the performances of SOI circuits.

Автор: Florian Gebhard
Название: The Mott Metal-Insulator Transition
ISBN: 3540614818 ISBN-13(EAN): 9783540614814
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 26122.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Little do we reliably know about the Mott transition, and we are far from a complete understanding of the metal --insulator transition due to electr- electron interactions. The Hubbard model describes a Mott transition with a mere minimum of tunable par- eters, and various exact statements and even exact solutions exist in certain limiting cases.

Автор: J.-P. Colinge
Название: Silicon-on-Insulator Technology
ISBN: 1475721234 ISBN-13(EAN): 9781475721232
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13974.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: 5. 2. Distinction between thick- and thin-film devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109 5. 3. I-V Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112 5. 3. 1. Threshold voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 2 5. 3 . 2. Body effecL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1 8 5. 3. 3. Short-channel effects . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120 5. 3. 4. Output characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 24 5. 4. Transconductance and mobility . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129 5. 4. 1 Transconductance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129 5. 4. 2. Mobility . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 5. 5. Subthreshold slope . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132 5. 6. Impact ionization and high-field effects . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 9 5. 6. 1. Kink effecL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 39 5. 6. 2. Hot-electron degradation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143 5. 7. Parasitic bipolar effects . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145 5. 7. 1. Anomalous subthreshold slope . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 45 5. 7. 2. Reduced drain breakdown voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 7 5. 8. Accumulation-mode p-channel MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 9 CHAPTER 6 - Other SOl Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 5 9 6. 1. Non-conventional devices adapted from bulk . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159 6. 1. 1. COMFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160 6. 1. 2. High-voltage lateral MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 6 1 6. 1. 3. PIN photodiode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162 6. 1. 4. JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163 6. 2. Novel SOl devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164 6. 2. 1. Lubistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Автор: Denis Flandre; Alexei Nazarov; Peter L.F. Hemment
Название: Science and Technology of Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating in a Harsh Environment
ISBN: 1402030126 ISBN-13(EAN): 9781402030123
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 20263.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Collects the papers presented during NATO Advanced Research Workshop "Science and technology of Semiconductor on Insulator (SOI) structures and devices operating in a harsh environment". Presenting various innovations in SOI materials and devices, the papers focus on the reliability of SOI structures operating under harsh conditions.