Silicon-on-Insulator Technology, J.-P. Colinge

Автор: Denis Flandre; Alexei Nazarov; Peter L.F. Hemment
Название: Science and Technology of Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating in a Harsh Environment
ISBN: 1402030126 ISBN-13(EAN): 9781402030123
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 20263.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Collects the papers presented during NATO Advanced Research Workshop "Science and technology of Semiconductor on Insulator (SOI) structures and devices operating in a harsh environment". Presenting various innovations in SOI materials and devices, the papers focus on the reliability of SOI structures operating under harsh conditions.

Автор: Alexei Nazarov; J.-P. Colinge; Francis Balestra; J
Название: Semiconductor-On-Insulator Materials for Nanoelectronics Applications
ISBN: 3642267084 ISBN-13(EAN): 9783642267086
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 26120.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Devoted to the evolving field of modern nanoelectronics, this volume presents the physics and technology of nanoelectronic devices built on semiconductor-on-insulator (SemOI) systems. Topics include new semiconductor-on-insulator materials, physics of modern SemOI devices, and MEMS on SOI.

Автор: Palyi, Andras Asboth, Janos K. Oroszlany, Laszlo
Название: Short course on topological insulators
ISBN: 331925605X ISBN-13(EAN): 9783319256054
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 4890.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This course-based primer provides newcomers to the field with a concise introduction to some of the core topics in the emerging field of topological insulators. The aim is to provide a basic understanding of edge states, bulk topological invariants, and of the bulk--boundary correspondence with as simple mathematical tools as possible.

Автор: J.-P. Colinge
Название: Silicon-on-Insulator Technology
ISBN: 1475721234 ISBN-13(EAN): 9781475721232
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13974.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: 5. 2. Distinction between thick- and thin-film devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109 5. 3. I-V Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112 5. 3. 1. Threshold voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 2 5. 3 . 2. Body effecL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1 8 5. 3. 3. Short-channel effects . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120 5. 3. 4. Output characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 24 5. 4. Transconductance and mobility . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129 5. 4. 1 Transconductance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129 5. 4. 2. Mobility . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 5. 5. Subthreshold slope . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132 5. 6. Impact ionization and high-field effects . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 9 5. 6. 1. Kink effecL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 39 5. 6. 2. Hot-electron degradation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143 5. 7. Parasitic bipolar effects . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145 5. 7. 1. Anomalous subthreshold slope . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 45 5. 7. 2. Reduced drain breakdown voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 7 5. 8. Accumulation-mode p-channel MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 9 CHAPTER 6 - Other SOl Devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 5 9 6. 1. Non-conventional devices adapted from bulk . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159 6. 1. 1. COMFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160 6. 1. 2. High-voltage lateral MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 6 1 6. 1. 3. PIN photodiode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162 6. 1. 4. JFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163 6. 2. Novel SOl devices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164 6. 2. 1. Lubistor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Автор: Denis Flandre; Alexei N. Nazarov; Peter L.F. Hemme
Название: Science and Technology of Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating in a Harsh Environment
ISBN: 1402030118 ISBN-13(EAN): 9781402030116
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 33401.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Collects the papers presented during NATO Advanced Research Workshop `Science and technology of Semiconductor on Insulator (SOI) structures and devices operating in a harsh environment` held in Kiev 26-30 April 2004. This volume contains both reviews from invited speakers and selected papers presenting innovations in SOI materials and devices.

Автор: Peter L.F. Hemment; Vladimir S. Lysenko; Alexei N.
Название: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices
ISBN: 0792361172 ISBN-13(EAN): 9780792361176
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15372.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Contains the key papers presented during the International NATO Advanced Research Workshop on Silicon on Insulator device technologies. This book explores issues ranging from the economic aspects incorporating SOI and related materials into circuits and systems to consideration of low temperature electronics, quantum devices and MEMS.

Автор: Hans-Joachim Queisser; Johann-Martin Spaeth; Haral
Название: Point Defects in Semiconductors and Insulators
ISBN: 3642627226 ISBN-13(EAN): 9783642627224
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 25155.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The precedent book with the title "Structural Analysis of Point Defects in Solids: An introduction to multiple magnetic resonance spectroscopy" ap- peared about 10 years ago.

Автор: J.-P. Colinge
Название: Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI
ISBN: 1461347955 ISBN-13(EAN): 9781461347958
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 23508.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI, Third Edition, retraces the evolution of SOI materials, devices and circuits over a period of roughly twenty years.

Автор: J.-P. Colinge
Название: Silicon-on-Insulator Technology
ISBN: 079238007X ISBN-13(EAN): 9780792380078
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 23757.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Describes the different facets of Silicon-on-Insulator technology. This title presents a review of SOI materials, devices and circuits. It discusses SOI fabrication and characterization techniques, SOI device processing, the physics of the SOI MOSFET as well as that of SOI other devices, and the performances of SOI circuits.

Автор: S. Furukawa
Название: Silicon-on-Insulator
ISBN: 9401088462 ISBN-13(EAN): 9789401088466
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 12157.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This volume contains papers presented during the US-Japan seminar on "Solid Phase Epitaxy and Interface Kinetics" held in Oiso, Japan, June 20-24, 1983.