Planar Double-Gate Transistor, Amara Amara; Olivier Rozeau

Автор: Lining Zhang; Mansun Chan
Название: Tunneling Field Effect Transistor Technology
ISBN: 3319316516 ISBN-13(EAN): 9783319316512
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16070.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book provides a single-source reference to the state-of-the art in tunneling field effect transistors (TFETs). Readers will learn the TFETs physics from advanced atomistic simulations, the TFETs fabrication process and the important roles that TFETs will play in enabling integrated circuit designs for power efficiency.

Автор: Andrea Spanu
Название: Organic Transistor Devices for In Vitro Electrophysiological Applications
ISBN: 3319288792 ISBN-13(EAN): 9783319288796
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 18284.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This thesis reports on a novel system forextracellular recordings of the activity of excitable cells, which relies on anorganic, charge-modulated field-effect transistor (FET) called OCMFET.

Автор: Keng C. Wu
Название: Transistor Circuits for Spacecraft Power System
ISBN: 1461353858 ISBN-13(EAN): 9781461353850
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 20962.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: As a stand-alone volume, Transistor Circuits For Spacecraft Power System presents numerous transistor circuits and building blocks associated with power electronics in general, and examines the major subsystem components for solar-based spacecraft power systems.

Автор: Supriya Karmakar
Название: Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor
ISBN: 8132234901 ISBN-13(EAN): 9788132234906
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 14365.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book explores fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter, introduces a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model and simulation of advanced circuits.

Автор: Henk C. de Graaff; Francois M. Klaassen
Название: Compact Transistor Modelling for Circuit Design
ISBN: 3709190452 ISBN-13(EAN): 9783709190456
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 12157.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Despite the resulting progress in device optimization, the above approach fails to provide a required compact set of device design and process control rules and a compact circuit model for the analysis of large-scale electronic designs.

Автор: Prakash Gopalakrishnan; Rob A. Rutenbar
Название: Direct Transistor-Level Layout for Digital Blocks
ISBN: 1475779518 ISBN-13(EAN): 9781475779516
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13974.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The approach described in this book can pack devices much more densely than a typical cell-based layout.Direct Transistor-Level Layout For Digital Blocks is a comprehensive reference work on device-level layout optimization, which will be valuable to CAD tool and circuit designers.

Автор: Wladyslaw Grabinski; Bart Nauwelaers; Dominique Sc
Название: Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design
ISBN: 9048171482 ISBN-13(EAN): 9789048171484
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15672.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The editors and authors present a wealth of knowledge regarding the most relevant aspects in the field of MOS transistor modeling. The book can be recommended to everyone who is involved in compact model developments, numerical TCAD modeling, parameter extraction, space-level simulation or model standardization.

Автор: Supriya Karmakar
Название: Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor
ISBN: 8132216342 ISBN-13(EAN): 9788132216346
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 18167.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book explores fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter, introduces a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model and simulation of advanced circuits.