Контакты/Проезд  Доставка и Оплата Помощь/Возврат
История
  +7(495) 980-12-10
  пн-пт: 10-18 сб,вс: 11-18
  shop@logobook.ru
   
    Поиск книг                    Поиск по списку ISBN Расширенный поиск    
Найти
  Зарубежные издательства Российские издательства  
Авторы | Каталог книг | Издательства | Новинки | Учебная литература | Акции | Хиты | |
 

Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor, Supriya Karmakar


Варианты приобретения
Цена: 14365.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ.  Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть  
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину
в Мои желания

Автор: Supriya Karmakar
Название:  Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor
ISBN: 9788132234906
Издательство: Springer
Классификация:





ISBN-10: 8132234901
Обложка/Формат: Paperback
Страницы: 134
Вес: 0.22 кг.
Дата издания: 17.09.2016
Язык: English
Размер: 234 x 156 x 8
Основная тема: Engineering
Подзаголовок: Fabrication, Modeling and Applications
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: This book explores fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter, introduces a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model and simulation of advanced circuits.


Nanowire Field Effect Transistors: Principles and Applications

Автор: Dae Mann Kim; Yoon-Ha Jeong
Название: Nanowire Field Effect Transistors: Principles and Applications
ISBN: 1493945726 ISBN-13(EAN): 9781493945726
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 14365.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book covers the basic physics and electronics leading to the conceptual understanding of nanowire field effect transistors (NWFET) and its practical aspects. It discusses mainstream applications and emphasizes their basic concepts.

Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors

Автор: Amit Chaudhry
Название: Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors
ISBN: 1461468213 ISBN-13(EAN): 9781461468219
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 19591.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book covers principles and theory of nanoscale transistors, including quantum mechanical tunneling and inversion layer quantization and solutions like high-k and strained-Si technology, alternate structures and graphene technology. Includes case studies.

Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor

Автор: Supriya Karmakar
Название: Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor
ISBN: 8132216342 ISBN-13(EAN): 9788132216346
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 18167.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book explores fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter, introduces a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model and simulation of advanced circuits.

Tunneling Field Effect Transistor Technology

Автор: Lining Zhang; Mansun Chan
Название: Tunneling Field Effect Transistor Technology
ISBN: 3319316516 ISBN-13(EAN): 9783319316512
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16070.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book provides a single-source reference to the state-of-the art in tunneling field effect transistors (TFETs). Readers will learn the TFETs physics from advanced atomistic simulations, the TFETs fabrication process and the important roles that TFETs will play in enabling integrated circuit designs for power efficiency.

Planar Double-Gate Transistor

Автор: Amara Amara; Olivier Rozeau
Название: Planar Double-Gate Transistor
ISBN: 9048181089 ISBN-13(EAN): 9789048181087
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 21661.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The aim of the editors here is to reinforce the synergy between the research activities on CMOS sub-32nm devices and the design of elementary circuits. The goal is to point out how we can apply new transistor structures to come up with new cells and concepts.

Photo-Excited Charge Collection Spectroscopy: Probing the traps in field-effect transistors (SpringerBriefs in Physics)

Автор: Seongil Im, Youn-Gyoung Chang, Jae Hoon Kim
Название: Photo-Excited Charge Collection Spectroscopy: Probing the traps in field-effect transistors (SpringerBriefs in Physics)
ISBN: 9400763913 ISBN-13(EAN): 9789400763913
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 6529.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Solid state field-effect devices such as organic and inorganic-channel thin-film transistors (TFTs) have been expected to promote advances in display and sensor electronics.

Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors

Автор: Amit Chaudhry
Название: Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors
ISBN: 1493944827 ISBN-13(EAN): 9781493944828
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16977.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book covers principles and theory of nanoscale transistors, including quantum mechanical tunneling and inversion layer quantization and solutions like high-k and strained-Si technology, alternate structures and graphene technology. Includes case studies.

Design, Synthesis, and Structure-Property Relationship Study of Polymer Field-Effect Transistors

Автор: Ting Lei
Название: Design, Synthesis, and Structure-Property Relationship Study of Polymer Field-Effect Transistors
ISBN: 3662456664 ISBN-13(EAN): 9783662456668
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13974.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The book summarizes Ting Lei`s PhD study on a series of novel conjugated polymers for field-effect transistors (FETs). Studies contain many aspects of polymer FETs, including backbone design, side-chain engineering, property study, conformation effects and device fabrication.

Field Effect Transistors, a Comprehensive Overview

Автор: Valizadeh Pouya
Название: Field Effect Transistors, a Comprehensive Overview
ISBN: 1119155495 ISBN-13(EAN): 9781119155492
Издательство: Wiley
Рейтинг:
Цена: 18208.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book discusses modern-day Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) and future trends of transistor devices. This book provides an overview of Field Effect Transistors (FETs) by discussing the basic principles of FETs and exploring the latest technological developments in the field.

Nanowire Field Effect Transistors: Principles and Applications

Автор: Dae Mann Kim; Yoon-Ha Jeong
Название: Nanowire Field Effect Transistors: Principles and Applications
ISBN: 1461481236 ISBN-13(EAN): 9781461481232
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16979.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book covers the basic physics and electronics leading to the conceptual understanding of nanowire field effect transistors (NWFET) and its practical aspects. It discusses mainstream applications and emphasizes their basic concepts.

Organic Field Effect Transistors

Автор: Ioannis Kymissis
Название: Organic Field Effect Transistors
ISBN: 1441947116 ISBN-13(EAN): 9781441947116
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15672.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: As a basic introduction to the subject for practitioners, this text will also be of interest to researchers looking for references that are not part of their subject area, focusing on materials and techniques useful for making integrated circuits.


ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru
   В Контакте     В Контакте Мед  Мобильная версия