How transistor area shrank by 1 million fold, Tigelaar, Howard

Автор: Bahl, Inder
Название: Fundamentals of rf and microwave transistor amplifiers
ISBN: 0470391669 ISBN-13(EAN): 9780470391662
Издательство: Wiley
Рейтинг:
Цена: 25336.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Includes extensive design information in the form of equations, tables, graphs and examples. Offers an in-depth study of amplifiers. Simple design equations are included to help understand design concepts. Practical and simple to understand examples with over 70 fully solved.

Автор: Keng C. Wu
Название: Transistor Circuits for Spacecraft Power System
ISBN: 1461353858 ISBN-13(EAN): 9781461353850
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 20962.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: As a stand-alone volume, Transistor Circuits For Spacecraft Power System presents numerous transistor circuits and building blocks associated with power electronics in general, and examines the major subsystem components for solar-based spacecraft power systems.

Автор: Wilhelmus Th. H. Hetterscheid
Название: Designing Transistor I.F. Amplifiers
ISBN: 3662386720 ISBN-13(EAN): 9783662386729
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 11179.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Автор: Ritchie, Gordon J. (university Of York, Uk)
Название: Transistor circuit techniques
ISBN: 0748740759 ISBN-13(EAN): 9780748740758
Издательство: Taylor&Francis
Рейтинг:
Цена: 10258.00 р.
Наличие на складе: Поставка под заказ.

Описание: One of a series intended for first- and second-year undergraduate courses, this text provides coverage of the design of both discrete and integrated electronic circuits. It guides students through the analysis and design of transistor circuits, using worked examples and design examples.

Автор: Spanu Andrea
Название: Organic Transistor Devices for in Vitro Electrophysiological Applications
ISBN: 3319804480 ISBN-13(EAN): 9783319804484
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13974.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This thesis reports on a novel system forextracellular recordings of the activity of excitable cells, which relies on anorganic, charge-modulated field-effect transistor (FET) called OCMFET.

Автор: Amara Amara; Olivier Rozeau
Название: Planar Double-Gate Transistor
ISBN: 9048181089 ISBN-13(EAN): 9789048181087
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 21661.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The aim of the editors here is to reinforce the synergy between the research activities on CMOS sub-32nm devices and the design of elementary circuits. The goal is to point out how we can apply new transistor structures to come up with new cells and concepts.

Автор: Singhal Tarun, Singhal Ishta
Название: Modelling and Analysis of Single Electron Transistor
ISBN: 613891774X ISBN-13(EAN): 9786138917748
Издательство: Неизвестно
Рейтинг:
Цена: 10826.00 р.
Наличие на складе: Нет в наличии.

Автор: Zhang Lining, Chan Mansun
Название: Tunneling Field Effect Transistor Technology
ISBN: 3319810871 ISBN-13(EAN): 9783319810874
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13974.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book provides a single-source reference to the state-of-the art intunneling field effect transistors (TFETs). Readers will learn the TFETsphysics from advanced atomistic simulations, the TFETs fabrication process andthe important roles that TFETs will play in enabling integrated circuit designsfor power efficiency.

Автор: Wladyslaw Grabinski; Bart Nauwelaers; Dominique Sc
Название: Transistor Level Modeling for Analog/RF IC Design
ISBN: 9048171482 ISBN-13(EAN): 9789048171484
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15672.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The editors and authors present a wealth of knowledge regarding the most relevant aspects in the field of MOS transistor modeling. The book can be recommended to everyone who is involved in compact model developments, numerical TCAD modeling, parameter extraction, space-level simulation or model standardization.