Контакты/Проезд  Доставка и Оплата Помощь/Возврат
История
  +7(495) 980-12-10
  пн-пт: 10-18 сб,вс: 11-18
  shop@logobook.ru
   
    Поиск книг                    Поиск по списку ISBN Расширенный поиск    
Найти
  Зарубежные издательства Российские издательства  
Авторы | Каталог книг | Издательства | Новинки | Учебная литература | Акции | Хиты | |
 

Low-Frequency Noise in Advanced MOS Devices, Martin Haartman; Mikael ?stling


Варианты приобретения
Цена: 19589.00р.
Кол-во:
Наличие: Поставка под заказ.  Есть в наличии на складе поставщика.
Склад Америка: Есть  
При оформлении заказа до: 2025-07-28
Ориентировочная дата поставки: Август-начало Сентября
При условии наличия книги у поставщика.

Добавить в корзину
в Мои желания

Автор: Martin Haartman; Mikael ?stling
Название:  Low-Frequency Noise in Advanced MOS Devices
ISBN: 9789048174720
Издательство: Springer
Классификация:





ISBN-10: 9048174724
Обложка/Формат: Paperback
Страницы: 216
Вес: 0.33 кг.
Дата издания: 30.11.2010
Серия: Analog Circuits and Signal Processing
Язык: English
Размер: 234 x 156 x 12
Основная тема: Engineering
Ссылка на Издательство: Link
Рейтинг:
Поставляется из: Германии
Описание: This is an introduction to noise, describing fundamental noise sources and basic circuit analysis, discussing characterization of low-frequency noise and offering practical advice that bridges concepts of noise theory and modelling, characterization, CMOS technology and circuits.


MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch

Автор: Viranjay M. Srivastava; Ghanshyam Singh
Название: MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch
ISBN: 3319345354 ISBN-13(EAN): 9783319345352
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 14365.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition.

Noisy Oscillator, The: Random Mass, Frequency, Damping (2Nd Edition)

Автор: Gitterman Moshe
Название: Noisy Oscillator, The: Random Mass, Frequency, Damping (2Nd Edition)
ISBN: 9814440485 ISBN-13(EAN): 9789814440486
Издательство: World Scientific Publishing
Рейтинг:
Цена: 6019.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The properties of the harmonic oscillator with random frequency or/and random damping formed the content of the first edition. The second edition includes hundreds of publications on this subject since 2005. The noisy oscillator continues to be the subject of intensive studies in physics, chemistry, biology, and social sciences.The new and the latest type of a stochastic oscillator has also been considered, namely, an oscillator with random mass. Such model describes, among other phenomena, Brownian motion with adhesion, where the molecules of the surrounding medium not only randomly collide, but also stick to the Brownian particle for some (random) time, thereby changing its mass. This edition contains two new chapters, eight new sections and an expanded bibliography. A wide group of researchers, students and teachers will benefit from this book.

MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch

Автор: Viranjay M. Srivastava; Ghanshyam Singh
Название: MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch
ISBN: 3319011642 ISBN-13(EAN): 9783319011646
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16769.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition.

Advanced Power MOSFET Concepts

Автор: B. Jayant Baliga
Название: Advanced Power MOSFET Concepts
ISBN: 1489993878 ISBN-13(EAN): 9781489993878
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 32651.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This text offers an in-depth treatment of the physics of operation of advanced power MOSFETs. It provides analytical models for explaining the operation of all advanced power MOSFETs as well as the results of numerical and two-dimensional simulations.

Advanced Electronic Technologies and Systems Based on Low-Dimensional Quantum Devices

Автор: M. Balkanski; Nikolai Andreev
Название: Advanced Electronic Technologies and Systems Based on Low-Dimensional Quantum Devices
ISBN: 9048149649 ISBN-13(EAN): 9789048149643
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 36476.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Proceedings of the NATO Advanced Study Institute, Sozopol, Bulgaria, 18-28 September 1996

Advanced Electronic Technologies and Systems Based on Low-Dimensional Quantum Devices

Автор: M. Balkanski; Nikolai Andreev
Название: Advanced Electronic Technologies and Systems Based on Low-Dimensional Quantum Devices
ISBN: 0792348753 ISBN-13(EAN): 9780792348757
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 36476.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Discusses optoelectronic devices and applications, transmission systems, integrated optoelectronic systems and, of course, various optical computers. This book deals with problems of propagation in quantum structures. It presents the basics of controlling the propagation of photons in solids and the use of this control in devices.

Rare-Earth Implanted MOS Devices for Silicon Photonics

Автор: Lars Rebohle; Wolfgang Skorupa
Название: Rare-Earth Implanted MOS Devices for Silicon Photonics
ISBN: 3642265588 ISBN-13(EAN): 9783642265587
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 18167.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The book concentrates on the microstructural, electric and optoelectronic properties of rare-earth implanted MOS structures and their use as light emitters in potential applications.

Switch-Level Timing Simulation of MOS VLSI Circuits

Автор: Vasant B. Rao; David V. Overhauser; Timothy N. Tri
Название: Switch-Level Timing Simulation of MOS VLSI Circuits
ISBN: 0898383021 ISBN-13(EAN): 9780898383027
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 23757.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Only two decades ago most electronic circuits were designed with a slide-rule, and the designs were verified using breadboard techniques. Today a wide range of tools exist for analYSiS, deSign, and verification, and expert systems and synthesis tools are rapidly emerging.

Model and Design of Bipolar and MOS Current-Mode Logic

Автор: Massimo Alioto; Gaetano Palumbo
Название: Model and Design of Bipolar and MOS Current-Mode Logic
ISBN: 1441952586 ISBN-13(EAN): 9781441952585
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 26120.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Current-Mode digital circuits have been extensively analyzed and used since the early days of digital ICs.

Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors

Автор: Jeroen A. Croon; Willy M Sansen; Herman E. Maes
Название: Matching Properties of Deep Sub-Micron MOS Transistors
ISBN: 1441937188 ISBN-13(EAN): 9781441937186
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 19589.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The model is illustrated by dimensioning the unit current cell of a current-steering D/A converter.The most commonly used methods to extract the matching properties of a technology are bench-marked with respect to model accuracy, measurement accuracy and speed, and physical contents of the extracted parameters.

Analysis and Synthesis of MOS Translinear Circuits

Автор: Remco J. Wiegerink
Название: Analysis and Synthesis of MOS Translinear Circuits
ISBN: 0792393902 ISBN-13(EAN): 9780792393900
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 23508.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Derives the MOS Translinear principle and investigates the effects of transistor nonidealities. This book focusses on circuit synthesis and presents design strategies which are illustrated by the design of various circuits: an output stage for CMOS opamps, a four-quadrant multiplier and a variable-gamma circuit for color television.

Statistical Modeling for Computer-Aided Design of MOS VLSI Circuits

Автор: Christopher Michael; Mohammed Ismail
Название: Statistical Modeling for Computer-Aided Design of MOS VLSI Circuits
ISBN: 079239299X ISBN-13(EAN): 9780792392996
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 20956.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Describes a statistical circuit simulation and optimization environment for VLSI circuit designers. This text also describes a CAD tool which accurately models and simulates the effect of device and circuit characteristics in both intra- and inter-die process variabiliy on analog/digital circuits.


ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru
   В Контакте     В Контакте Мед  Мобильная версия