Advanced Power MOSFET Concepts, B. Jayant Baliga

Автор: Wilfried H?nsch
Название: The Drift Diffusion Equation and Its Applications in MOSFET Modeling
ISBN: 3709190975 ISBN-13(EAN): 9783709190975
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 14365.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: To be perfect does not mean that there is nothing to add, but rather there is nothing to take away Antoine de Saint-Exupery The drift-diffusion approximation has served for more than two decades as the cornerstone for the numerical simulation of semiconductor devices.

Автор: Viranjay M. Srivastava; Ghanshyam Singh
Название: MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch
ISBN: 3319011642 ISBN-13(EAN): 9783319011646
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16769.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition.

Автор: Viranjay M. Srivastava; Ghanshyam Singh
Название: MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch
ISBN: 3319345354 ISBN-13(EAN): 9783319345352
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 14365.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition.

Автор: Jacopo Franco; Ben Kaczer; Guido Groeseneken
Название: Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
ISBN: 9400776624 ISBN-13(EAN): 9789400776623
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16769.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book explores the reliability of novel (Si)Ge channel quantum well pMOSFET technology. It proposes a physical model to understand the intrinsically superior reliability of the MOS system consisting of a Ge-based channel and a SiO2/HfO2 dielectric stack.

Автор: Narain D. Arora
Название: MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation
ISBN: 3709192498 ISBN-13(EAN): 9783709192498
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 12157.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Metal Oxide Semiconductor (MOS) transistors are the basic building block ofMOS integrated circuits (I C). After working over 15 years in the field of semiconductor device modeling, I have felt the need for a book which can fill the gap between the theory and the practice of MOS transistor modeling.

Автор: Viktor Sverdlov
Название: Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
ISBN: 3709119332 ISBN-13(EAN): 9783709119334
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 19589.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book covers modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is explored in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. Includes a rigorous overview of transport modeling.

Автор: Serge Oktyabrsky; Peide Ye
Название: Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs
ISBN: 144191546X ISBN-13(EAN): 9781441915467
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 26122.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs presents the fundamentals and current status of research of compound semiconductor metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) that are envisioned as a future replacement of silicon in digital circuits.

Автор: Juin Jei Liou; Adelmo Ortiz-Conde; Francisco Garci
Название: Analysis and Design of MOSFETs
ISBN: 1461374731 ISBN-13(EAN): 9781461374732
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 22203.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction is the first book devoted entirely to a broad spectrum of analysis and design issues related to the semiconductor device called metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET).