MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation, Narain D. Arora

Автор: Viranjay M. Srivastava; Ghanshyam Singh
Название: MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch
ISBN: 3319345354 ISBN-13(EAN): 9783319345352
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 14365.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition.

Автор: B. Jayant Baliga
Название: Advanced Power MOSFET Concepts
ISBN: 1489993878 ISBN-13(EAN): 9781489993878
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 32651.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This text offers an in-depth treatment of the physics of operation of advanced power MOSFETs. It provides analytical models for explaining the operation of all advanced power MOSFETs as well as the results of numerical and two-dimensional simulations.

Автор: Wilfried H?nsch
Название: The Drift Diffusion Equation and Its Applications in MOSFET Modeling
ISBN: 3709190975 ISBN-13(EAN): 9783709190975
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 14365.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: To be perfect does not mean that there is nothing to add, but rather there is nothing to take away Antoine de Saint-Exupery The drift-diffusion approximation has served for more than two decades as the cornerstone for the numerical simulation of semiconductor devices.

Автор: Viranjay M. Srivastava; Ghanshyam Singh
Название: MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch
ISBN: 3319011642 ISBN-13(EAN): 9783319011646
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16769.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition.

Автор: Serge Oktyabrsky; Peide Ye
Название: Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs
ISBN: 144191546X ISBN-13(EAN): 9781441915467
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 26122.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs presents the fundamentals and current status of research of compound semiconductor metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) that are envisioned as a future replacement of silicon in digital circuits.

Автор: Juin Jei Liou; Adelmo Ortiz-Conde; Francisco Garci
Название: Analysis and Design of MOSFETs
ISBN: 0412146010 ISBN-13(EAN): 9780412146015
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 26120.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction is the first book devoted entirely to a broad spectrum of analysis and design issues related to the semiconductor device called metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET).

Автор: Jacopo Franco; Ben Kaczer; Guido Groeseneken
Название: Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
ISBN: 9400776624 ISBN-13(EAN): 9789400776623
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16769.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book explores the reliability of novel (Si)Ge channel quantum well pMOSFET technology. It proposes a physical model to understand the intrinsically superior reliability of the MOS system consisting of a Ge-based channel and a SiO2/HfO2 dielectric stack.

Автор: Viktor Sverdlov
Название: Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
ISBN: 3709119332 ISBN-13(EAN): 9783709119334
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 19589.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book covers modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is explored in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. Includes a rigorous overview of transport modeling.