Strain-Engineered MOSFETs, Maiti, C.K.

Автор: Jacopo Franco; Ben Kaczer; Guido Groeseneken
Название: Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
ISBN: 9400776624 ISBN-13(EAN): 9789400776623
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16769.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book explores the reliability of novel (Si)Ge channel quantum well pMOSFET technology. It proposes a physical model to understand the intrinsically superior reliability of the MOS system consisting of a Ge-based channel and a SiO2/HfO2 dielectric stack.

Автор: Miura-Mattausch Mitiko Et Al
Название: Physics And Modeling Of Mosfets, The: Surface-Potential Model Hisim
ISBN: 9813203315 ISBN-13(EAN): 9789813203310
Издательство: World Scientific Publishing
Цена: 9504.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание:

This volume provides a timely description of the latest compact MOS transistor models for circuit simulation. The first generation BSIM3 and BSIM4 models that have dominated circuit simulation in the last decade are no longer capable of characterizing all the important features of modern sub-100nm MOS transistors. This book discusses the second generation MOS transistor models that are now in urgent demand and being brought into the initial phase of manufacturing applications. It considers how the models are to include the complete drift-diffusion theory using the surface potential variable in the MOS transistor channel in order to give one characterization equation.

Автор: Hisham Haddara
Название: Characterization Methods for Submicron MOSFETs
ISBN: 0792396952 ISBN-13(EAN): 9780792396956
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 23508.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The need for more deep and extensive characterization of MOSFET param- eters has further increased as the applications of this device have gained ground in many new fields in which its performance has become more and more sensi- tive to the properties of its Si - Si0 interface.

Автор: Serge Oktyabrsky; Peide Ye
Название: Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs
ISBN: 1489984062 ISBN-13(EAN): 9781489984067
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 26120.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs presents the fundamentals and current status of research of compound semiconductor metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) that are envisioned as a future replacement of silicon in digital circuits.

Автор: Serge Oktyabrsky; Peide Ye
Название: Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs
ISBN: 144191546X ISBN-13(EAN): 9781441915467
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 26122.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs presents the fundamentals and current status of research of compound semiconductor metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) that are envisioned as a future replacement of silicon in digital circuits.

Автор: Fossum, Jerry G. (university Of Florida) Trivedi, Vishal P.
Название: Fundamentals of ultra-thin-body mosfets and finfets
ISBN: 1107030412 ISBN-13(EAN): 9781107030411
Издательство: Cambridge Academ
Рейтинг:
Цена: 8077.00 р.
Наличие на складе: Поставка под заказ.

Автор: Gabriel Alfonso Rincon-Mora, Rincon-Mora
Название: MOSFETs
ISBN: 107788821X ISBN-13(EAN): 9781077888210
Издательство: Неизвестно
Рейтинг:
Цена: 1550.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Автор: Juin Jei Liou; Adelmo Ortiz-Conde; Francisco Garci
Название: Analysis and Design of MOSFETs
ISBN: 0412146010 ISBN-13(EAN): 9780412146015
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 26120.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction is the first book devoted entirely to a broad spectrum of analysis and design issues related to the semiconductor device called metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET).

Автор: Viranjay M. Srivastava; Ghanshyam Singh
Название: MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch
ISBN: 3319345354 ISBN-13(EAN): 9783319345352
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 14365.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition.

Автор: Viranjay M. Srivastava; Ghanshyam Singh
Название: MOSFET Technologies for Double-Pole Four-Throw Radio-Frequency Switch
ISBN: 3319011642 ISBN-13(EAN): 9783319011646
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16769.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book provides analysis and discusses the design of various MOSFET technologies. Coverage includes comparison of Single-gate MOSFET and Double-gate MOSFET switching parameters as well as testing of MOSFETs parameters using image acquisition.