Fundamentals of ultra-thin-body mosfets and finfets, Fossum, Jerry G. (university Of Florida) Trivedi, Vishal P.
Автор: Serge Oktyabrsky; Peide Ye Название: Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs ISBN: 1489984062 ISBN-13(EAN): 9781489984067 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 26120.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs presents the fundamentals and current status of research of compound semiconductor metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) that are envisioned as a future replacement of silicon in digital circuits.
Автор: Miura-Mattausch Mitiko Et Al Название: Physics And Modeling Of Mosfets, The: Surface-Potential Model Hisim ISBN: 9813203315 ISBN-13(EAN): 9789813203310 Издательство: World Scientific Publishing Цена: 9504.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание:
This volume provides a timely description of the latest compact MOS transistor models for circuit simulation. The first generation BSIM3 and BSIM4 models that have dominated circuit simulation in the last decade are no longer capable of characterizing all the important features of modern sub-100nm MOS transistors. This book discusses the second generation MOS transistor models that are now in urgent demand and being brought into the initial phase of manufacturing applications. It considers how the models are to include the complete drift-diffusion theory using the surface potential variable in the MOS transistor channel in order to give one characterization equation.
Автор: Serge Oktyabrsky; Peide Ye Название: Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs ISBN: 144191546X ISBN-13(EAN): 9781441915467 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 26122.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs presents the fundamentals and current status of research of compound semiconductor metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) that are envisioned as a future replacement of silicon in digital circuits.
Автор: Maiti, C.K. Название: Strain-Engineered MOSFETs ISBN: 1466500557 ISBN-13(EAN): 9781466500556 Издательство: Taylor&Francis Рейтинг: Цена: 29093.00 р. Наличие на складе: Поставка под заказ.
Автор: Hisham Haddara Название: Characterization Methods for Submicron MOSFETs ISBN: 0792396952 ISBN-13(EAN): 9780792396956 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 23508.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: The need for more deep and extensive characterization of MOSFET param- eters has further increased as the applications of this device have gained ground in many new fields in which its performance has become more and more sensi- tive to the properties of its Si - Si0 interface.
Автор: Juin Jei Liou; Adelmo Ortiz-Conde; Francisco Garci Название: Analysis and Design of MOSFETs ISBN: 0412146010 ISBN-13(EAN): 9780412146015 Издательство: Springer Рейтинг: Цена: 26120.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
Описание: Analysis and Design of MOSFETs: Modeling, Simulation, and Parameter Extraction is the first book devoted entirely to a broad spectrum of analysis and design issues related to the semiconductor device called metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET).
Описание: This book explores the reliability of novel (Si)Ge channel quantum well pMOSFET technology. It proposes a physical model to understand the intrinsically superior reliability of the MOS system consisting of a Ge-based channel and a SiO2/HfO2 dielectric stack.
Автор: Gabriel Alfonso Rincon-Mora, Rincon-Mora Название: MOSFETs ISBN: 107788821X ISBN-13(EAN): 9781077888210 Издательство: Неизвестно Рейтинг: Цена: 1550.00 р. Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.
ООО "Логосфера " Тел:+7(495) 980-12-10 www.logobook.ru
