Stochastic Dynamics of Crystal Defects, Thomas D Swinburne

Автор: Thomas D Swinburne
Название: Stochastic Dynamics of Crystal Defects
ISBN: 3319200186 ISBN-13(EAN): 9783319200187
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15672.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Introduction.- Dislocations.- Stochastic Motion.- Atomistic simulations in bcc Metals.- Properties of Coarse Grained Dislocations.- The Stochastic Force on Crystal Defects.- Conclusions and Outlook.

Автор: Edmund G. Seebauer; Meredith C. Kratzer
Название: Charged Semiconductor Defects
ISBN: 1849968209 ISBN-13(EAN): 9781849968201
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 26120.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: "Charged Defects in Semiconductors" details the current state of knowledge regarding the properties of the ionized defects that can affect the behaviour of advanced transistors, photo-active devices, catalysts, and sensors.

Автор: Kipp van Schooten
Название: Optically Active Charge Traps and Chemical Defects in Semiconducting Nanocrystals Probed by Pulsed Optically Detected Magnetic Resonance
ISBN: 331903328X ISBN-13(EAN): 9783319033280
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13059.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book lays the groundwork for further use of Electron Spin Echo Envelop Modulation (ESEEM) and opens the possibility of highly precise chemical fingerprinting. It reveals an astonishingly long memory of spin coherence in semiconductor particles.

Автор: T?nia Tom?
Название: Stochastic Dynamics and Irreversibility(Graduate Texts in Physics)
ISBN: 3319364812 ISBN-13(EAN): 9783319364810
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 8487.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Random Variables.- Sequence of Independent Variables.- Langevin equation.- Fokker-Planck Equation I.- Fokker-Planck Equation II.- Markov Chains.- Master Equation I.- Master Equation II.- Phase Transitions and Criticality.- Reactive Systems.- Glauber Model.- Systems with Inversion Symmetry.- Systems with Absorbing States.- Population Dynamics.- Probabilistic Cellular automata.- Reaction-Diffusion Processes.- Random Sequential Adsoprtion.- Percolation.

Автор: Giorgio Benedek
Название: Point and Extended Defects in Semiconductors
ISBN: 146845711X ISBN-13(EAN): 9781468457117
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 6986.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The systematic study of defects in semiconductors began in the early fifties. Most participants are currently working on defect problems in either silicon submicron technology or in quantum wells and superlattices, where point defects, dislocations, interfaces and surfaces are closely packed together.

Автор: Bernard Pajot; Bernard Clerjaud
Название: Optical Absorption of Impurities and Defects in Semiconducting Crystals
ISBN: 3642430805 ISBN-13(EAN): 9783642430800
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 18284.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This volume outlines how absorption spectroscopy is important to the investigation of deep-level centers introduced in semiconductors and insulators. It also explains how vibrational spectroscopy determines the atomic structure and symmetry of complexes.

Автор: Vadim S. Anishchenko; Vladimir Astakhov; Alexander
Название: Nonlinear Dynamics of Chaotic and Stochastic Systems
ISBN: 3642424678 ISBN-13(EAN): 9783642424670
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13059.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: We hope that the new edition of the book will be of great interest for a widesectionofreaderswhoarealreadyspecialistsorthosewhoarebeginning research in the ?elds of nonlinear oscillation and wave theory, dynamical chaos, synchronization, and stochastic process theory.

Автор: P. Gehlen
Название: Interatomic Potentials and Simulation of Lattice Defects
ISBN: 1468419943 ISBN-13(EAN): 9781468419948
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 16979.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The remaining days were devoted to research papers on computer simulation of the four types of defects: point defects, line defects, surface defects, and volume defects.

Автор: Bernard Pajot
Название: Optical Absorption of Impurities and Defects in Semiconducting Crystals
ISBN: 3642263569 ISBN-13(EAN): 9783642263569
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 26120.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Semiconducting and Insulating Crystals details how absorption spectroscopy provides information on the nature, concentration, charge state and configuration of impurities in crystals, and also on their kinetics and transformations under annealing.

Автор: Roman Louban
Название: Image Processing of Edge and Surface Defects
ISBN: 3642260357 ISBN-13(EAN): 9783642260353
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15672.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The edge and surface inspection is one of the most important and most challenging tasks in quality assessment in industrial production. Providing a valuable reference, this book offers a detailed description of optical methods for defect recognition.

Автор: B. Henderson
Название: Defects and Their Structure in Nonmetallic Solids
ISBN: 1468428047 ISBN-13(EAN): 9781468428049
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 12157.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Thus major emphases in the pro- gramme concerned the use of spectroscopy and microscopy in revealing the structure of point defects and their aggregates, line defects as well as planar and volume defects.

Автор: Steger, Michael
Название: Transition-metal defects in silicon
ISBN: 364235078X ISBN-13(EAN): 9783642350788
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 18167.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book demonstrates the power of isotopic enrichment for high-resolution spectroscopic characterization. It records properties of transition metal centers in silicon with unprecedented accuracy.