Optical Absorption of Impurities and Defects in Semiconducting Crystals, Bernard Pajot; Bernard Clerjaud

Автор: Kipp van Schooten
Название: Optically Active Charge Traps and Chemical Defects in Semiconducting Nanocrystals Probed by Pulsed Optically Detected Magnetic Resonance
ISBN: 3319005898 ISBN-13(EAN): 9783319005898
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 18167.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book lays the groundwork for further use of Electron Spin Echo Envelop Modulation (ESEEM) and opens the possibility of highly precise chemical fingerprinting. It reveals an astonishingly long memory of spin coherence in semiconductor particles.

Автор: Adachi
Название: Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors
ISBN: 0470743697 ISBN-13(EAN): 9780470743690
Издательство: Wiley
Рейтинг:
Цена: 28504.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The main purpose of this book is to provide a comprehensive treatment of the materials aspects of group-IV, III-V and II-VI semiconductor alloys used in various electronic and optoelectronic devices.

Автор: Peter Pichler
Название: Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon
ISBN: 3709172047 ISBN-13(EAN): 9783709172049
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 41925.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book contains the first comprehensive review of intrinsic point defects, impurities and their complexes in silicon.

Автор: Bernard Pajot
Название: Optical Absorption of Impurities and Defects in Semiconducting Crystals
ISBN: 3642263569 ISBN-13(EAN): 9783642263569
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 26120.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Semiconducting and Insulating Crystals details how absorption spectroscopy provides information on the nature, concentration, charge state and configuration of impurities in crystals, and also on their kinetics and transformations under annealing.

Автор: Kipp van Schooten
Название: Optically Active Charge Traps and Chemical Defects in Semiconducting Nanocrystals Probed by Pulsed Optically Detected Magnetic Resonance
ISBN: 331903328X ISBN-13(EAN): 9783319033280
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13059.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book lays the groundwork for further use of Electron Spin Echo Envelop Modulation (ESEEM) and opens the possibility of highly precise chemical fingerprinting. It reveals an astonishingly long memory of spin coherence in semiconductor particles.

Автор: V. S. Vavilov
Название: Radiation Effects in Semiconductors and Semiconductor Devices
ISBN: 1468490710 ISBN-13(EAN): 9781468490718
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 6986.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Автор: Claudia S. Schnohr; Mark C. Ridgway
Название: X-Ray Absorption Spectroscopy of Semiconductors
ISBN: 3662443619 ISBN-13(EAN): 9783662443613
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 18284.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Through a series of comprehensive reviews, this book demonstrates the versatility of XAS for semiconductor materials analysis and presents important research activities in this ever growing field. This book provides a comprehensive review and valuable reference guide for both XAS newcomers and experts involved in semiconductor materials research.

Автор: Claudia S. Schnohr; Mark C. Ridgway
Название: X-Ray Absorption Spectroscopy of Semiconductors
ISBN: 3662522128 ISBN-13(EAN): 9783662522127
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15672.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Through a series of comprehensive reviews, this book demonstrates the versatility of XAS for semiconductor materials analysis and presents important research activities in this ever growing field. This book provides a comprehensive review and valuable reference guide for both XAS newcomers and experts involved in semiconductor materials research.

Автор: Victor Gloumov; Victor A. Perevostchikov; Vladimir
Название: Gettering Defects in Semiconductors
ISBN: 3642065708 ISBN-13(EAN): 9783642065705
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 30606.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Автор: J. Chikawa; K. Sumino; K. Wada
Название: Defects and Properties of Semiconductors
ISBN: 9401086168 ISBN-13(EAN): 9789401086165
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 12157.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Defect study in semiconductor engineering started originally with seeking methods how to suppress generation of harmful defects during device processing in order to achieve a high yield of device fabrication.

Автор: Giorgio Benedek
Название: Point and Extended Defects in Semiconductors
ISBN: 146845711X ISBN-13(EAN): 9781468457117
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 6986.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: The systematic study of defects in semiconductors began in the early fifties. Most participants are currently working on defect problems in either silicon submicron technology or in quantum wells and superlattices, where point defects, dislocations, interfaces and surfaces are closely packed together.