Defects, Fracture and Fatigue, G. Sih

Автор: Gianfranco Pacchioni; Linards Skuja; David L. Gris
Название: Defects in SiO2 and Related Dielectrics: Science and Technology
ISBN: 0792366859 ISBN-13(EAN): 9780792366850
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 41787.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Silicon dioxide plays a central role in most contemporary electronic and photonic technologies. This book provides a general description of the influence that point defects have on the global properties of the bulk material and their spectroscopic characterization through ESR and optical spectroscopy.

Автор: Richard Catlow
Название: Defects and Disorder in Crystalline and Amorphous Solids
ISBN: 0792326105 ISBN-13(EAN): 9780792326106
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 49613.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Provides a unified approach to disorder in solids. This study includes coverage of the theoretical and structural concepts; basic properties; transport, thermodynamic and spectroscopic properties; theoretical and computational techniques; fast-ion conductors; and amorphous semiconductors.

Автор: Jacques Jupille; Geoff Thornton
Название: Defects at Oxide Surfaces
ISBN: 3319380192 ISBN-13(EAN): 9783319380193
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 15672.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book presents the basics and characterization of defects at oxide surfaces. It provides a state-of-the-art review of the field, containing information to the various types of surface defects, describes analytical methods to study defects, their chemical activity and the catalytic reactivity of oxides.

Автор: Kipp van Schooten
Название: Optically Active Charge Traps and Chemical Defects in Semiconducting Nanocrystals Probed by Pulsed Optically Detected Magnetic Resonance
ISBN: 331903328X ISBN-13(EAN): 9783319033280
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13059.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book lays the groundwork for further use of Electron Spin Echo Envelop Modulation (ESEEM) and opens the possibility of highly precise chemical fingerprinting. It reveals an astonishingly long memory of spin coherence in semiconductor particles.

Автор: D. Walgraef
Название: Patterns, Defects and Microstructures in Nonequilibrium Systems
ISBN: 9024734797 ISBN-13(EAN): 9789024734795
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 39970.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop, Austin, Texas, USA, March 24-28, 1986

Автор: Moones Rahmandoust; Majid R. Ayatollahi
Название: Characterization of Carbon Nanotube Based Composites under Consideration of Defects
ISBN: 3319002503 ISBN-13(EAN): 9783319002507
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 19591.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: 1 Introduction.- 2 Carbon Nanotubes.- 3 Nanocomposites.- 4 CNT-based nanocomposites.- 5 CNT/FRP composites.- 6 Summary

Автор: D. Walgraef; N.M. Ghoniem
Название: Patterns, Defects and Materials Instabilities
ISBN: 9401067554 ISBN-13(EAN): 9789401067553
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 12157.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Proceedings of the NATO Advanced Study Institute, Cargese, France, September 4-15, 1989

Автор: D. Walgraef
Название: Patterns, Defects and Microstructures in Nonequilibrium Systems
ISBN: 9401080925 ISBN-13(EAN): 9789401080927
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 39970.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop, Austin, Texas, USA, March 24-28, 1986

Автор: J. Chikawa; K. Sumino; K. Wada
Название: Defects and Properties of Semiconductors
ISBN: 9401086168 ISBN-13(EAN): 9789401086165
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 12157.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Defect study in semiconductor engineering started originally with seeking methods how to suppress generation of harmful defects during device processing in order to achieve a high yield of device fabrication.

Автор: G. Herrmann
Название: Modeling of Defects and Fracture Mechanics
ISBN: 3211824871 ISBN-13(EAN): 9783211824870
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13060.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: All materials contain numerous defects, such as microcracks, microvoids, inhomogeneities, dislocations, etc., which precede possible fracture. This volume contains some introductory material, aspects of fracture mechanics, the theory of crystal defects, computational micromechanics, and the heterogenization methodology.

Автор: George C. Sih; H. Zorski
Название: Defects and Fracture
ISBN: 9401175225 ISBN-13(EAN): 9789401175227
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 6986.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: Proceedings of the First International Symposium on Defects and Fracture, Tuczno, Poland, October 13-17, 1980

Автор: Michael Steger
Название: Transition-Metal Defects in Silicon
ISBN: 3642438083 ISBN-13(EAN): 9783642438080
Издательство: Springer
Рейтинг:
Цена: 13059.00 р.
Наличие на складе: Есть у поставщика Поставка под заказ.

Описание: This book demonstrates the power of isotopic enrichment for high-resolution spectroscopic characterization. It records properties of transition metal centers in silicon with unprecedented accuracy.